微电子及集成电路设计常用问题总结（考研面试向）

mos管的沟道长度调制效应？

源极导致势垒下降？

衬底电流体效应？

衬底偏执效应？

速度饱和效应？

举例典型的trade off？

mos&bjt的工作曲线？

加法器的类型？

计数器的类型？

阻塞赋值和非阻塞赋值的区别？

前仿真与后仿真区别？

LVS，DRC是做什么的？

锁存器比寄存器省面积，但为什么在IC设计中通常使用寄存器？锁存器比寄存器省面积，为什么IC设计中常用寄存器？

如何产生格雷码，并写出3位的格雷码序列？

mos管的截止频率和沟道长度有什么关系？

什么是"线与"逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？

负反馈自激震荡条件，正反馈自激震荡条件，之间的区别？
闩锁效应，画图，克服？
伪n，传输门，传输管，互补cmos，多米诺，dcvsl，用多少个管子？
动态，静态cmos优缺点和区别？
组合逻辑和时序逻辑的区别？
同步异步区别？
考研真题中的简答题？
模电与书店的区别？
振荡器，文氏桥，组态，原理？
时钟布局策略？
状态机类型及优缺点？
建立时间保持时间？
采样保持？
mos阈值电压公式？（VSB，体效应，沟长）
为什么喜欢数字（模拟）？（模数区别）
密勒电容？
画简单的单管放大器？
数字集成电路与模拟集成电路的区别？
本科经历？毕设？和老师方向符合的话会多问
倒向器（反相器）？
课堂上学过的基本的东西。
分频器？
英语面试问题：
在英语自我介绍时把比较牛的经历说出来，其他时候最好不要太嚣张地提出。
家乡？
兴趣爱好？
本科学校？
学过的课？

拉扎维，拉贝圣书再翻一遍。