关于STM32的FLASH操作【转载】
2017-11-29 13:34
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说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然， FLASH还可以用来装数据。
FLASH分类
根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。
主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。
信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。
系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。
选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
FLASH的页面
STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区。
STM32产品的分类
STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。
小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储器2KB。
中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储器2KB。
大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器2KB。
互联型产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器18KB。
对于具体一个产品属于哪类，可以查数据手册，或根据以下简单的规则进行区分：
STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种，STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。
互联型产品与其它三类的不同之处就是BootLoader的不同，小中大容量产品的BootLoader只有2KB，只能通过USART1进行ISP，而互联型产品的BootLoader有18KB，能通过USAT1、4、CAN等多种方式进行ISP。小空量产品、中容量产品的BootLoader与大容量产品相同。
关于ISP与IAP
ISP（In System Programming）在系统编程，是指直接在目标电路板上对芯片进行编程，一般需要一个自举程序（BootLoader）来执行。ISP也有叫ICP（In
Circuit Programming）、在电路编程、在线编程。
IAP（In Application Programming）在应用中编程，是指最终产品出厂后，由最终用户在使用中对用户程序部分进行编程，实现在线升级。IAP要求将程序分成两部分：引导程序、用户程序。引导程序总是不变的。IAP也有叫在程序中编程。
ISP与IAP的区别在于，ISP一般是对芯片整片重新编程，用的是芯片厂的自举程序。而IAP只是更新程序的一部分，用的是电器厂开发的IAP引导程序。综合来看，ISP受到的限制更多，而IAP由于是自己开发的程序，更换程序的时候更容易操作。
FPEC
FPEC(FLASH Program/Erase controller 闪存编程/擦除控制器)，STM32通过FPEC来擦除和编程FLASH。FPEC使用7个寄存器来操作闪存：
FPEC键寄存器(FLASH_KEYR) 写入键值解锁。
选项字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR) 写入键值解锁选项字节操作。
闪存控制寄存器(FLASH_CR) 选择并启动闪存操作。
闪存状态寄存器(FLASH_SR) 查询闪存操作状态。
闪存地址寄存器(FLASH_AR) 存储闪存操作地址。
选项字节寄存器(FLASH_OBR) 选项字节中主要数据的映象。
写保护寄存器(FLASH_WRPR) 选项字节中写保护字节的映象。
键值
为了增强安全性，进行某项操作时，须要向某个位置写入特定的数值，来验证是否为安全的操作，这些数值称为键值。STM32的FLASH共有三个键值：
RDPRT键 = 0x000000A5 用于解除读保护
KEY1 = 0x45670123 用于解除闪存锁
KEY2 = 0xCDEF89AB 用于解除闪存锁
闪存锁
在FLASH_CR中，有一个LOCK位，该位为1时，不能写FLASH_CR寄存器，从而也就不能擦除和编程FLASH，这称为闪存锁。
当LOCK位为1时，闪存锁有效，只有向FLASH_KEYR依次写入KEY1、KEY2后，LOCK位才会被硬件清零，从而解除闪存锁。当LOCK位为1时，对FLASH_KEYR的任何错误写操作（第一次不是KEY1，或第二次不是KEY2），都将会导致闪存锁的彻底锁死，一旦闪存锁彻底锁死，在下一次复位前，都无法解锁，只有复位后，闪存锁才恢复为一般锁住状态。
复位后，LOCK位默认为1，闪存锁有效，此时，可以进行解锁。解锁后，可进行FLASH的擦除编程工作。任何时候，都可以通过对LOCK位置1来软件加锁，软件加锁与复位加锁是一样的，都可以解锁。
主存储块的擦除
主存储块可以按页擦除，也可以整片擦除。
页擦除
主存储块的任何一页都可以通过FPEC的页擦除功能擦除。
建议使用以下步骤进行页擦除：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位。以确认没有其他正在进行的闪存操作。必须等待BSY位为0，才能继续操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的PER位为1。选择页擦除操作。
3．设置FLASH_AR寄存器为要擦除页所在地址，选择要擦除的页。FLASH_AR的值在哪一页范围内，就表示要擦除哪一页。
4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1，启动擦除操作。
5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
7．读出被擦除的页并做验证。擦完后所有数据位都为1。
整片擦除
整片擦除功能擦除整个主存储块，信息块不受此操作影响。
建议使用以下步骤进行整片擦除：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的MER位为1。选择整片擦除操作。
3．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。启动整片擦除操作。
4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
6．读出所有页并做验证。擦完后所有数据位都为1。
主存储块的编程
对主存储块编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为1时，在一个闪存地址写入一个半字（16位）将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位为1时)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。
建议使用如下步骤对主存储块进行编：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的PG位为1。选择编程操作。
3．在指定的地址写入要编程的半字。直接用指针写。
4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
6．读出写入的地址并验证数据。
关于主存储块擦除编程操作的一些疑问
1． 为什么每次都要检查BSY位是否为0？
因为BSY位为1时，不能对任何FPEC寄存器执行写操作，所以必须要等BSY位为0时，才能执行闪存操作。
2． 如果没有擦除就进行编程，会出现什么结果？
STM32在执行编程操作前，会先检查要编程的地址是否被擦除，如果没有，则不进行编程，并置FLASH_SR寄存器的PGERR位为1。唯一例外的是，当要编程的数据为0X0000时，即使未擦除，也会进行编程，因为0X0000即使擦除也可以正确编程。
3． 为什么操作后要读出数据并验证？
STM32在某些特殊情况下（例如FPEC被锁住），可能根本就没有执行所要的操作，仅通过寄存器无法判断操作是否成功。所以，保险起见，操作后都要读出所有数据检查。
4． 等待BSY位为1的时间以多少为合适？
请参考STM32固件库中的数据。
5． FLASH编程手册上说进行闪存操作（擦除或编程）时，必须打开内部的RC振荡器(HSI)，是不是一定要用HIS进行闪存的擦除及编程操作？
对于这点，我的理解是，进行闪存操作时，必须要保证HIS没有被关闭，但是操作时的系统仍然可以是HSE时钟。STM32复位后，HIS默认是开的，只要你不为了低功耗去主动关闭它，则用什么时钟都可以进行闪存操作的。我所编的程序也验证了这一点。
选项字节
选项字节用于存储芯片使用者对芯片的配置信息。
目前，所有的STM32101xx、STM32102xx、STM32103xx、STM32105xx、STM32107xx产品，选项字节都是16字节。但是这16字节，每两个字节组成一个正反对，即，字节1是字节0的反码，字节3是字节2的反码，．．．，字节15是字节14的反码，所以，芯片使用者只要设置8个字节就行了，另外8个字节系统自动填充为反码。因此，有时候，也说STM32的选项字节是8个字节，但是占了16字节的空间。
选项字节的8字节正码概述如下：
RDP 字节0。读保护字节，存储对主存储块的读保护设置。
USER 字节2。用户字节，配置看门狗、停机、待机。
Data0 字节4。数据字节0，由芯片使用者自由使用。
Data1 字节6。数据字节1，由芯片使用者自由使用。
WRP0 字节8。写保护字节0，存储对主存储块的写保护设置。
WRP1 字节10。写保护字节1，存储对主存储块的写保护设置。
WRP2 字节12。写保护字节2，存储对主存储块的写保护设置。
WRP3 字节14。写保护字节3，存储对主存储块的写保护设置。3
选项字节写使能
在FLASH_CR中，有一个OPTWRE位，该位为0时，不允许进行选项字节操作（擦除、编程）。这称为选项字节写使能。只有该位为1时，才能进行选项字节操作。
该位不能软件置1，但可以软件清零。只有向FLASH_OPTKEYR依次写入KEY1和KEY2后，硬件会自动对该位置1，此时，才允许选项字节操作。这称为解锁（打开）选项字节写使能。
该位为1后，可以由软件清零，关闭写使能。
复位后，该位为0。错误操作不会永远关闭写使能，只要写入正确的键序列，则又可以打开写使能。写使能已打开时，再次打开，不会出错，并且依然是打开的。
很显然，进行选项字节操作前，先要解开闪存锁，然后打开选项字节写使能，之后，才能进行选项字节操作。
选项字节擦除
建议使用如下步骤对选项字节进行擦除：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。
2．解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即，打开写使能。
3．设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1。选择选项字节擦除操作。
4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。
5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
7．读出选项字节并验证数据。
由于选项字节只有16字节，因此，擦除时是整个选项字节都被擦除了。
选项字节编程
建议使用如下步骤对选项字节进行编程：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。
2．解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即，打开写使能。
3．设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1。选择编程操作。
4．写入要编程的半字到指定的地址。启动编程操作。
5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
7．读出写入的选项字节并验证数据。
对选项字节编程时，FPEC使用半字中的低字节并自动地计算出高字节(高字节为低字节的反码)，并开始编程操作，这将保证选项字节和它的反码始终是正确的。
主存储块的保护
可以对主存储块中的数据进行读保护、写保护。
读保护用于保护数据不被非法读出。防止程序泄密。
写保护用于保护数据不被非法改写，增强程序的健壮性。
读保护
主存储块启动读保护后，简单的说具有以下特性：
1．从主存储块启动的程序，可以对整个主存储块执行读操作，不允许对主存储块的前4KB进行擦除编程操作，可以对4KB之后的区域进行擦除编程操作。
2．从SRAM启动的程序，不能对主存储块进行读、页擦除、编程操作，但可以进行主存储块整片擦除操作。
3．使用调试接口不能访问主存储块。
这些特性足以阻止主存储器数据的非法读出，又能保证程序的正常运行。
只有当RDP选项字节的值为RDPRT键值时，读保护才被关闭，否则，读保护就是启动的。因此，擦除选项字节的操作，将启动主存储块的读保护。如果要关闭读保护，必须将RDP选项字节编程为RDPRT键值。并且，如果编程选项字节，使RDP由非键值变为键值（即由保护变为非保护）时，STM32将会先擦除整个主存储块，再编程RDP。
芯片出厂时，RDP会事先写入RDPRT键值，关闭写保护功能。
写保护
STM32主存储块可以分域进行写保护。
如果试图对写保护的域进行擦除或编程操作，在闪存状态寄存器(FLASH_SR)中会返回一个写保护错误标志。
STM32主存储块每个域4KB，WRP0-WRP3选项字节中的每一位对应一个域，位为0时，写保护有效。对于超过128KB的产品，WRP3．15保护了域31及之后的所有域。
显然，擦除选项字节将导致解除主存储块的写保护。
选项字节与它的寄存器映象
我们知道，FPEC有两个寄存器存储了选项字节的映象。那么，选项字节本体（在FLASH中）与映象（在寄存器中）究竟有什么区别呢？
选项字节的本体只是个FLASH，它的作用只是掉电存储选项字节内容而以，真正起作用的是寄存器中的映象。即，一个配置是否有效，不是看本体，而是看映象。而映象是在复位后，用本体的值加载的，此后，除非复位，映象将不再改变。所以，更改本体的数据后，不会立即生效，只有复位加载到映象中后，才会生效。
有一点要注意的是，当更改本体的值，使主存储块读保护变为不保护时，会先擦除整片主存储块，然后再改变本体。这是唯一一个改变本体会引发的动作。但即使这样，读保护依然要等到复位后，加载到映象后，才会解除。
关于FLASH编程手册中文版的几处错误（不一定是，但是与我的理解不符）
1．选项字节编程一节中：
对FPEC解锁后，必须分别写入KEY1和KEY2(见2.3.1节)到FLASH_OPTKEYR寄存器，再设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为’1’，此时可以对选项字节进行编程
实际上，对FLASH_OPTKEYR写入KEY1和KEY2后，OPTWRE位会被硬件置1，而不是用软件写1。这一点在后面的寄存器描述中也可以得到验证。
2．对读保护的描述中：
对读保护的数值对无法理解。正确的应该是，RDP为RDPRT键值时，解除读保护，为其它值时，读保护生效。
STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。
【STM32F4 内部Flash的一些信息】
STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0x08000000，大小是0x00100000。
写FLASH的时候，如果发现写入地址的FLASH没有被擦出，数据将不会写入。FLASH的擦除操作，只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。
在STM32F4的编程手册上可找到FLASH的Sector划分，我们现在只操作Main memory：
参考Demo中的例子，将FLASH的页的其实地址（基地址）可定义如下：
/* Base address of the Flash sectors */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) /* Base @ of Sector 2, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) /* Base @ of Sector 3, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) /* Base @ of Sector 4, 64 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) /* Base @ of Sector 5, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) /* Base @ of Sector 6, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) /* Base @ of Sector 7, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) /* Base @ of Sector 8, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) /* Base @ of Sector 9, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) /* Base @ of Sector 10, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) /* Base @ of Sector 11, 128 Kbytes */
在库里边，FLASH的Sector编号定义如下，这是供库里边的几个函数使用的。需要将地址转换成Sector编号：
#define FLASH_Sector_0 ((uint16_t)0x0000) /*!< Sector Number 0 */
#define FLASH_Sector_1 ((uint16_t)0x0008) /*!< Sector Number 1 */
#define FLASH_Sector_2 ((uint16_t)0x0010) /*!< Sector Number 2 */
#define FLASH_Sector_3 ((uint16_t)0x0018) /*!< Sector Number 3 */
#define FLASH_Sector_4 ((uint16_t)0x0020) /*!< Sector Number 4 */
#define FLASH_Sector_5 ((uint16_t)0x0028) /*!< Sector Number 5 */
#define FLASH_Sector_6 ((uint16_t)0x0030) /*!< Sector Number 6 */
#define FLASH_Sector_7 ((uint16_t)0x0038) /*!< Sector Number 7 */
#define FLASH_Sector_8 ((uint16_t)0x0040) /*!< Sector Number 8 */
#define FLASH_Sector_9 ((uint16_t)0x0048) /*!< Sector Number 9 */
#define FLASH_Sector_10 ((uint16_t)0x0050) /*!< Sector Number 10 */
#define FLASH_Sector_11 ((uint16_t)0x0058) /*!< Sector Number 11 */
Demo中有将地址转换成Sector的代码：
uint32_t GetSector(uint32_t Address)
{
uint32_t sector = 0;
if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
{
sector = FLASH_Sector_0;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
{
sector = FLASH_Sector_1;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
{
sector = FLASH_Sector_2;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
{
sector = FLASH_Sector_3;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
{
sector = FLASH_Sector_4;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
{
sector = FLASH_Sector_5;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
{
sector = FLASH_Sector_6;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
{
sector = FLASH_Sector_7;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))
{
sector = FLASH_Sector_8;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))
{
sector = FLASH_Sector_9;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))
{
sector = FLASH_Sector_10;
}
else/*(Address < FLASH_END_ADDR) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_11))*/
{
sector = FLASH_Sector_11;
}
return sector;
}
有了这些定义之后，我们就可以开始正式操作FLASH了
首先，要向FLASH写入数据需要先将FLASH解锁。根据手册定义，解锁FLASH需要先向寄存器FLASH_KEYR写入0x45670123之后再向这个寄存器写入0xCDEF89AB。这两个数据在库中已经定义成了：FLASH_KEY1和FLASH_KEY2.
使用库函数不用这么麻烦，函数FLASH_Unlock()即可完成对FLASH的解锁。
解锁FLASH之后，使用函数FLASH_ClearFlag清除FLASH的状态寄存器。然后就可以对FLASH进行写操作了。我按照示例工程，擦除两块FLASH。
下边是操作FLASH的代码，首先擦除两块FLASH，然后向这两块FLASH中写入数据。最后进行校验：
要写入的数据定义：
#define DATA_32 ((uint32_t)0x12345678)
开始FLASH操作：
FLASH_Unlock(); //解锁FLASH后才能向FLASH中写数据。
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);
/* Get the number of the start and end sectors */
StartSector = GetSector(FLASH_USER_START_ADDR); //获取FLASH的Sector编号
EndSector = GetSector(FLASH_USER_END_ADDR);
//擦除FLASH
for (i = StartSector; i < EndSector; i += 8) //每次FLASH编号增加8，可参考上边FLASH Sector的定义。
{
/* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will
be done by word */
if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
{
while (1)
{
}
}
}
/*擦除完毕*/
/*开始写入*/
Address = FLASH_USER_START_ADDR;
while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
{
if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE) //将DATA_32写入相应的地址。
{
Address = Address + 4;
}
else
{
/* Error occurred while writing data in Flash memory.
User can add here some code to deal with this error */
while (1)
{
}
}
}
FLASH_Lock(); //读FLASH不需要FLASH处于解锁状态。
//读出数据 检查写入值是否正确
Address = FLASH_USER_START_ADDR;
MemoryProgramStatus = 0x0;
while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
{
data32 = *(__IO uint32_t*)Address; //读FLASH中的数据，直接给出地址就行了。跟从内存中读数据一样。
if (data32 != DATA_32)
{
MemoryProgramStatus++;
}
Address = Address + 4;
}
下边是使用STLink Utility读出的数据，检查一下，确实写进去数据了：
参考文档是ST的 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual。可在ST网站下载。文档编号：PM0081。FLASH的有不少寄存器，各个含义手册上有详细介绍。我只是简单地看了下。使用库函数操作，好像不大需要详细理解这些寄存器了。
说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然， FLASH还可以用来装数据。
FLASH分类
根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。
主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。
信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。
系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。
选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
FLASH的页面
STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区。
STM32产品的分类
STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。
小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储器2KB。
中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储器2KB。
大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器2KB。
互联型产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器18KB。
对于具体一个产品属于哪类，可以查数据手册，或根据以下简单的规则进行区分：
STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种，STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。
互联型产品与其它三类的不同之处就是BootLoader的不同，小中大容量产品的BootLoader只有2KB，只能通过USART1进行ISP，而互联型产品的BootLoader有18KB，能通过USAT1、4、CAN等多种方式进行ISP。小空量产品、中容量产品的BootLoader与大容量产品相同。
关于ISP与IAP
ISP（In System Programming）在系统编程，是指直接在目标电路板上对芯片进行编程，一般需要一个自举程序（BootLoader）来执行。ISP也有叫ICP（In
Circuit Programming）、在电路编程、在线编程。
IAP（In Application Programming）在应用中编程，是指最终产品出厂后，由最终用户在使用中对用户程序部分进行编程，实现在线升级。IAP要求将程序分成两部分：引导程序、用户程序。引导程序总是不变的。IAP也有叫在程序中编程。
ISP与IAP的区别在于，ISP一般是对芯片整片重新编程，用的是芯片厂的自举程序。而IAP只是更新程序的一部分，用的是电器厂开发的IAP引导程序。综合来看，ISP受到的限制更多，而IAP由于是自己开发的程序，更换程序的时候更容易操作。
FPEC
FPEC(FLASH Program/Erase controller 闪存编程/擦除控制器)，STM32通过FPEC来擦除和编程FLASH。FPEC使用7个寄存器来操作闪存：
FPEC键寄存器(FLASH_KEYR) 写入键值解锁。
选项字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR) 写入键值解锁选项字节操作。
闪存控制寄存器(FLASH_CR) 选择并启动闪存操作。
闪存状态寄存器(FLASH_SR) 查询闪存操作状态。
闪存地址寄存器(FLASH_AR) 存储闪存操作地址。
选项字节寄存器(FLASH_OBR) 选项字节中主要数据的映象。
写保护寄存器(FLASH_WRPR) 选项字节中写保护字节的映象。
键值
为了增强安全性，进行某项操作时，须要向某个位置写入特定的数值，来验证是否为安全的操作，这些数值称为键值。STM32的FLASH共有三个键值：
RDPRT键 = 0x000000A5 用于解除读保护
KEY1 = 0x45670123 用于解除闪存锁
KEY2 = 0xCDEF89AB 用于解除闪存锁
闪存锁
在FLASH_CR中，有一个LOCK位，该位为1时，不能写FLASH_CR寄存器，从而也就不能擦除和编程FLASH，这称为闪存锁。
当LOCK位为1时，闪存锁有效，只有向FLASH_KEYR依次写入KEY1、KEY2后，LOCK位才会被硬件清零，从而解除闪存锁。当LOCK位为1时，对FLASH_KEYR的任何错误写操作（第一次不是KEY1，或第二次不是KEY2），都将会导致闪存锁的彻底锁死，一旦闪存锁彻底锁死，在下一次复位前，都无法解锁，只有复位后，闪存锁才恢复为一般锁住状态。
复位后，LOCK位默认为1，闪存锁有效，此时，可以进行解锁。解锁后，可进行FLASH的擦除编程工作。任何时候，都可以通过对LOCK位置1来软件加锁，软件加锁与复位加锁是一样的，都可以解锁。
主存储块的擦除
主存储块可以按页擦除，也可以整片擦除。
页擦除
主存储块的任何一页都可以通过FPEC的页擦除功能擦除。
建议使用以下步骤进行页擦除：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位。以确认没有其他正在进行的闪存操作。必须等待BSY位为0，才能继续操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的PER位为1。选择页擦除操作。
3．设置FLASH_AR寄存器为要擦除页所在地址，选择要擦除的页。FLASH_AR的值在哪一页范围内，就表示要擦除哪一页。
4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1，启动擦除操作。
5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
7．读出被擦除的页并做验证。擦完后所有数据位都为1。
整片擦除
整片擦除功能擦除整个主存储块，信息块不受此操作影响。
建议使用以下步骤进行整片擦除：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的MER位为1。选择整片擦除操作。
3．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。启动整片擦除操作。
4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
6．读出所有页并做验证。擦完后所有数据位都为1。
主存储块的编程
对主存储块编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为1时，在一个闪存地址写入一个半字（16位）将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位为1时)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。
建议使用如下步骤对主存储块进行编：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。
2．设置FLASH_CR寄存器的PG位为1。选择编程操作。
3．在指定的地址写入要编程的半字。直接用指针写。
4．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
5．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
6．读出写入的地址并验证数据。
关于主存储块擦除编程操作的一些疑问
1． 为什么每次都要检查BSY位是否为0？
因为BSY位为1时，不能对任何FPEC寄存器执行写操作，所以必须要等BSY位为0时，才能执行闪存操作。
2． 如果没有擦除就进行编程，会出现什么结果？
STM32在执行编程操作前，会先检查要编程的地址是否被擦除，如果没有，则不进行编程，并置FLASH_SR寄存器的PGERR位为1。唯一例外的是，当要编程的数据为0X0000时，即使未擦除，也会进行编程，因为0X0000即使擦除也可以正确编程。
3． 为什么操作后要读出数据并验证？
STM32在某些特殊情况下（例如FPEC被锁住），可能根本就没有执行所要的操作，仅通过寄存器无法判断操作是否成功。所以，保险起见，操作后都要读出所有数据检查。
4． 等待BSY位为1的时间以多少为合适？
请参考STM32固件库中的数据。
5． FLASH编程手册上说进行闪存操作（擦除或编程）时，必须打开内部的RC振荡器(HSI)，是不是一定要用HIS进行闪存的擦除及编程操作？
对于这点，我的理解是，进行闪存操作时，必须要保证HIS没有被关闭，但是操作时的系统仍然可以是HSE时钟。STM32复位后，HIS默认是开的，只要你不为了低功耗去主动关闭它，则用什么时钟都可以进行闪存操作的。我所编的程序也验证了这一点。
选项字节
选项字节用于存储芯片使用者对芯片的配置信息。
目前，所有的STM32101xx、STM32102xx、STM32103xx、STM32105xx、STM32107xx产品，选项字节都是16字节。但是这16字节，每两个字节组成一个正反对，即，字节1是字节0的反码，字节3是字节2的反码，．．．，字节15是字节14的反码，所以，芯片使用者只要设置8个字节就行了，另外8个字节系统自动填充为反码。因此，有时候，也说STM32的选项字节是8个字节，但是占了16字节的空间。
选项字节的8字节正码概述如下：
RDP 字节0。读保护字节，存储对主存储块的读保护设置。
USER 字节2。用户字节，配置看门狗、停机、待机。
Data0 字节4。数据字节0，由芯片使用者自由使用。
Data1 字节6。数据字节1，由芯片使用者自由使用。
WRP0 字节8。写保护字节0，存储对主存储块的写保护设置。
WRP1 字节10。写保护字节1，存储对主存储块的写保护设置。
WRP2 字节12。写保护字节2，存储对主存储块的写保护设置。
WRP3 字节14。写保护字节3，存储对主存储块的写保护设置。3
选项字节写使能
在FLASH_CR中，有一个OPTWRE位，该位为0时，不允许进行选项字节操作（擦除、编程）。这称为选项字节写使能。只有该位为1时，才能进行选项字节操作。
该位不能软件置1，但可以软件清零。只有向FLASH_OPTKEYR依次写入KEY1和KEY2后，硬件会自动对该位置1，此时，才允许选项字节操作。这称为解锁（打开）选项字节写使能。
该位为1后，可以由软件清零，关闭写使能。
复位后，该位为0。错误操作不会永远关闭写使能，只要写入正确的键序列，则又可以打开写使能。写使能已打开时，再次打开，不会出错，并且依然是打开的。
很显然，进行选项字节操作前，先要解开闪存锁，然后打开选项字节写使能，之后，才能进行选项字节操作。
选项字节擦除
建议使用如下步骤对选项字节进行擦除：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。
2．解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即，打开写使能。
3．设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1。选择选项字节擦除操作。
4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。
5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
7．读出选项字节并验证数据。
由于选项字节只有16字节，因此，擦除时是整个选项字节都被擦除了。
选项字节编程
建议使用如下步骤对选项字节进行编程：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。
2．解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即，打开写使能。
3．设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1。选择编程操作。
4．写入要编程的半字到指定的地址。启动编程操作。
5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。
6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。
7．读出写入的选项字节并验证数据。
对选项字节编程时，FPEC使用半字中的低字节并自动地计算出高字节(高字节为低字节的反码)，并开始编程操作，这将保证选项字节和它的反码始终是正确的。
主存储块的保护
可以对主存储块中的数据进行读保护、写保护。
读保护用于保护数据不被非法读出。防止程序泄密。
写保护用于保护数据不被非法改写，增强程序的健壮性。
读保护
主存储块启动读保护后，简单的说具有以下特性：
1．从主存储块启动的程序，可以对整个主存储块执行读操作，不允许对主存储块的前4KB进行擦除编程操作，可以对4KB之后的区域进行擦除编程操作。
2．从SRAM启动的程序，不能对主存储块进行读、页擦除、编程操作，但可以进行主存储块整片擦除操作。
3．使用调试接口不能访问主存储块。
这些特性足以阻止主存储器数据的非法读出，又能保证程序的正常运行。
只有当RDP选项字节的值为RDPRT键值时，读保护才被关闭，否则，读保护就是启动的。因此，擦除选项字节的操作，将启动主存储块的读保护。如果要关闭读保护，必须将RDP选项字节编程为RDPRT键值。并且，如果编程选项字节，使RDP由非键值变为键值（即由保护变为非保护）时，STM32将会先擦除整个主存储块，再编程RDP。
芯片出厂时，RDP会事先写入RDPRT键值，关闭写保护功能。
写保护
STM32主存储块可以分域进行写保护。
如果试图对写保护的域进行擦除或编程操作，在闪存状态寄存器(FLASH_SR)中会返回一个写保护错误标志。
STM32主存储块每个域4KB，WRP0-WRP3选项字节中的每一位对应一个域，位为0时，写保护有效。对于超过128KB的产品，WRP3．15保护了域31及之后的所有域。
显然，擦除选项字节将导致解除主存储块的写保护。
选项字节与它的寄存器映象
我们知道，FPEC有两个寄存器存储了选项字节的映象。那么，选项字节本体（在FLASH中）与映象（在寄存器中）究竟有什么区别呢？
选项字节的本体只是个FLASH，它的作用只是掉电存储选项字节内容而以，真正起作用的是寄存器中的映象。即，一个配置是否有效，不是看本体，而是看映象。而映象是在复位后，用本体的值加载的，此后，除非复位，映象将不再改变。所以，更改本体的数据后，不会立即生效，只有复位加载到映象中后，才会生效。
有一点要注意的是，当更改本体的值，使主存储块读保护变为不保护时，会先擦除整片主存储块，然后再改变本体。这是唯一一个改变本体会引发的动作。但即使这样，读保护依然要等到复位后，加载到映象后，才会解除。
关于FLASH编程手册中文版的几处错误（不一定是，但是与我的理解不符）
1．选项字节编程一节中：
对FPEC解锁后，必须分别写入KEY1和KEY2(见2.3.1节)到FLASH_OPTKEYR寄存器，再设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为’1’，此时可以对选项字节进行编程
实际上，对FLASH_OPTKEYR写入KEY1和KEY2后，OPTWRE位会被硬件置1，而不是用软件写1。这一点在后面的寄存器描述中也可以得到验证。
2．对读保护的描述中：
对读保护的数值对无法理解。正确的应该是，RDP为RDPRT键值时，解除读保护，为其它值时，读保护生效。
STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。
【STM32F4 内部Flash的一些信息】
STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0x08000000，大小是0x00100000。
写FLASH的时候，如果发现写入地址的FLASH没有被擦出，数据将不会写入。FLASH的擦除操作，只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。
在STM32F4的编程手册上可找到FLASH的Sector划分，我们现在只操作Main memory：
参考Demo中的例子，将FLASH的页的其实地址（基地址）可定义如下：
/* Base address of the Flash sectors */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) /* Base @ of Sector 2, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) /* Base @ of Sector 3, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) /* Base @ of Sector 4, 64 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) /* Base @ of Sector 5, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) /* Base @ of Sector 6, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) /* Base @ of Sector 7, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) /* Base @ of Sector 8, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) /* Base @ of Sector 9, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) /* Base @ of Sector 10, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) /* Base @ of Sector 11, 128 Kbytes */
在库里边，FLASH的Sector编号定义如下，这是供库里边的几个函数使用的。需要将地址转换成Sector编号：
#define FLASH_Sector_0 ((uint16_t)0x0000) /*!< Sector Number 0 */
#define FLASH_Sector_1 ((uint16_t)0x0008) /*!< Sector Number 1 */
#define FLASH_Sector_2 ((uint16_t)0x0010) /*!< Sector Number 2 */
#define FLASH_Sector_3 ((uint16_t)0x0018) /*!< Sector Number 3 */
#define FLASH_Sector_4 ((uint16_t)0x0020) /*!< Sector Number 4 */
#define FLASH_Sector_5 ((uint16_t)0x0028) /*!< Sector Number 5 */
#define FLASH_Sector_6 ((uint16_t)0x0030) /*!< Sector Number 6 */
#define FLASH_Sector_7 ((uint16_t)0x0038) /*!< Sector Number 7 */
#define FLASH_Sector_8 ((uint16_t)0x0040) /*!< Sector Number 8 */
#define FLASH_Sector_9 ((uint16_t)0x0048) /*!< Sector Number 9 */
#define FLASH_Sector_10 ((uint16_t)0x0050) /*!< Sector Number 10 */
#define FLASH_Sector_11 ((uint16_t)0x0058) /*!< Sector Number 11 */
Demo中有将地址转换成Sector的代码：
uint32_t GetSector(uint32_t Address)
{
uint32_t sector = 0;
if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
{
sector = FLASH_Sector_0;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
{
sector = FLASH_Sector_1;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
{
sector = FLASH_Sector_2;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
{
sector = FLASH_Sector_3;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
{
sector = FLASH_Sector_4;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
{
sector = FLASH_Sector_5;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
{
sector = FLASH_Sector_6;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
{
sector = FLASH_Sector_7;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))
{
sector = FLASH_Sector_8;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))
{
sector = FLASH_Sector_9;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))
{
sector = FLASH_Sector_10;
}
else/*(Address < FLASH_END_ADDR) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_11))*/
{
sector = FLASH_Sector_11;
}
return sector;
}
有了这些定义之后，我们就可以开始正式操作FLASH了
首先，要向FLASH写入数据需要先将FLASH解锁。根据手册定义，解锁FLASH需要先向寄存器FLASH_KEYR写入0x45670123之后再向这个寄存器写入0xCDEF89AB。这两个数据在库中已经定义成了：FLASH_KEY1和FLASH_KEY2.
使用库函数不用这么麻烦，函数FLASH_Unlock()即可完成对FLASH的解锁。
解锁FLASH之后，使用函数FLASH_ClearFlag清除FLASH的状态寄存器。然后就可以对FLASH进行写操作了。我按照示例工程，擦除两块FLASH。
下边是操作FLASH的代码，首先擦除两块FLASH，然后向这两块FLASH中写入数据。最后进行校验：
要写入的数据定义：
#define DATA_32 ((uint32_t)0x12345678)
开始FLASH操作：
FLASH_Unlock(); //解锁FLASH后才能向FLASH中写数据。
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);
/* Get the number of the start and end sectors */
StartSector = GetSector(FLASH_USER_START_ADDR); //获取FLASH的Sector编号
EndSector = GetSector(FLASH_USER_END_ADDR);
//擦除FLASH
for (i = StartSector; i < EndSector; i += 8) //每次FLASH编号增加8，可参考上边FLASH Sector的定义。
{
/* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will
be done by word */
if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
{
while (1)
{
}
}
}
/*擦除完毕*/
/*开始写入*/
Address = FLASH_USER_START_ADDR;
while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
{
if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE) //将DATA_32写入相应的地址。
{
Address = Address + 4;
}
else
{
/* Error occurred while writing data in Flash memory.
User can add here some code to deal with this error */
while (1)
{
}
}
}
FLASH_Lock(); //读FLASH不需要FLASH处于解锁状态。
//读出数据 检查写入值是否正确
Address = FLASH_USER_START_ADDR;
MemoryProgramStatus = 0x0;
while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
{
data32 = *(__IO uint32_t*)Address; //读FLASH中的数据，直接给出地址就行了。跟从内存中读数据一样。
if (data32 != DATA_32)
{
MemoryProgramStatus++;
}
Address = Address + 4;
}
下边是使用STLink Utility读出的数据，检查一下，确实写进去数据了：
参考文档是ST的 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual。可在ST网站下载。文档编号：PM0081。FLASH的有不少寄存器，各个含义手册上有详细介绍。我只是简单地看了下。使用库函数操作，好像不大需要详细理解这些寄存器了。
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