stm32 使用FSMC连接bank1的第三个存储区程序参考及说明
2017-06-27 15:43
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include “sram.h”
////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
//对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17
//对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000))
//初始化外部SRAMvoid FSMC_SRAM_Init(void)
{
FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE); RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33; //PORTD复用推挽输出 1111 1111 0011 0011 GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83; //PORTE复用推挽输出 1111 1111 1000 0011 GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F; //PORTD复用推挽输出 1111 0000 0011 1111 GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F; //PORTD复用推挽输出 0000 0100 0011 1111 GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure); readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK 1/36M=27ns readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到 readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //数据保持时间(DATAST)为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片) readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00; readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00; readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00; //数据产生时间 readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A 操作时序 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3; // 这里我们使用NE3 ,也就对应BTCR[4],[5]。 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; //地址数据不复用 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM; // FSMC_MemoryType_SRAM存储器类型为SRAM FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b; //存储器数据宽度为16bit FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable; // 关闭突发模式访问 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; //等待信号优先级,只有在使能突发访问模式才有效 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable; //关闭Wrapped burst access mode,只有在使能突发访问模式才有效 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; //等待信号设置,只有在使能突发访问模式才有效 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //存储器写使能 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable; //使能/关闭等待信息设置,只在使能突发访问模式才有效 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写操作时序参数 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序 FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置 FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE); // 使能BANK3
}
//在指定地址开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n–)
{
(vu8)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr++;
pBuffer++;
}
}
//在指定地址开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n–)
{
pBuffer++=(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
ReadAddr++;
}
}
////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
//测试函数
//在指定地址写入1个字节
//addr:地址
//data:要写入的数据
void fsmc_sram_test_write(u8 data,u32 addr)
{
FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节
}
//读取1个字节
//addr:要读取的地址
//返回值:读取到的数据
u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
{
u8 data;
FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
return data;
}
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