F4_Flash模拟EEPROM

1.FLASH存储器：不加电的情况下能长期保持存储的信息。Flash Memory属于EEPROM类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写， 功耗很小。

2.EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)电可擦可编程只读存储器，不加电的情况下同样能长期保持存储的信息。

3.Flash和EEPROM的主要区别是什么呢？

狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几K到几百K的，绝少有超过512K的。

FLASH属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它FLASH。FLASH做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的ROM一般都是FLASH.

flash分为nor flash和nand flash。

nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块擦。

nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）

由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。

使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。

因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。

4.为什么要用Flash来模拟EEPROM呢？

答：因为在许多应用场合下需要用EEPROM保存非易失性的数据，但是ST为了控制成本，没有在STM32F4系列芯片中集成EEPROM，所以我们就需要用其内部集成的FLASH通过软件模拟EEPROM来达到同样的效果。

5.FLASH闪存的读取：

STM32F4可以通过内部的D-CODE总线来访问内部闪存中存储的数据，访问数据就肯定得符合时序，为了准确读取 Flash 数据，必须根据CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR)中正确地设置等待周期数(LATENCY)！

6.FLASH模块的构成



7.FLASH的写入流程

复位后， Flash 控制寄存器 (FLASH_CR) 不允许执行写操作，以防因电气干扰等原因出现对Flash 的意外操作，所以复位之后系统把FLASH_CR给“锁”住了。所以先要进行扇区的解锁，FLASH_CR（u32，地址:0x40023C00+0x10）的最高位为0时表示解锁成功，该位不能直接进行写0操作，需要用FLASH_KEYR（u32，地址:0x40023C04）来进行对FLASH_CR的解锁工作，方法为向FLASH_KEYR中依次写入ST提供的“密钥”来完成，“密钥”为KEY1和KEY2，具体数值见参考手册，见下图：

void FLASH_Unlock(void)
{
if((FLASH->CR &
8950
FLASH_CR_LOCK) != RESET)
{
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
}
}

当解锁完flash之后，flash就可以被写入用户所希望保存的数据了，但是在写入之前，我们必须先进行一次擦除操作（写1），为什么要进行一次擦除（写1）操作呢？因为我们并不能保证原来的存储区域中全是1，那么为什么我们又得要保证写入之前原来的存储区域里全是1呢？因为我们的写操作只能将1写为0，不能将0写为1，也就是说，如果原来的存储区域中事先已经有一个0xFE的“不干净”数据（干净指0XFF），那么如我们没有擦除就往里面写数据0x01的话，写完后读出来的数据就会是0x00（0XFE & 0X01）！

好了，那么我们想往flash里面写数据之前就先得擦除，但是擦除之前，还得做一件很重要的事情（怎么那么多xx事情。。），那就是要先禁止数据缓存。FLASH->ACR &= 0XFFFFFBFF。

向flash中写完数据之后，别忘了再打开数据缓存，并且再锁上FLASH_CR（为了安全）。

8.FLASH的读取流程

//func:从指定地址读取指定长度的数据
//param:ReadAddr起始地址
//      pBuffer数据指针（空盒子）
//      NumToRead字数（4位字）
void ST_FLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)
{
u32 i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i]=ST_FLASH_ReadWord(ReadAddr);
ReadAddr+=4;
}
}