嵌入式面试题——ARM面试题(六)
2017-03-01 23:16
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填空题
1. Nand-Flash闪存每个块的最大擦写次数是______万次,而Nor的擦写次数是______万次。
答案:100、10
2.MTD核心层分为:______层、______层和______层。
答案:用户模块接口、MTD抽象、MTD设备驱动模块
3.Nor-Flash常用于存放______,而Nand-Flash存放______。
答案:系统代码、用户信息
4.作为高速缓存的存储器主要有______、______和______。
答案:SRAM、DRAM、Flash ROM
5.动态RAM有______和______。
答案:SDRAM、DDR
6.ARM有从外部______启动的外启动和从片上______启动的内启动两种启动方式。
答案:SDRAM、ROM
问答题
1.简述嵌入式设备中程序运行方式。
答:嵌入式设备中程序运行方式有两种:一种是将程序加载到SDRAM中运行,另一种是程序直接在其所在的ROM/Flash存储器中运行。
2.与SDRAM相比,Flash在ARM系统中的主要作用是什么?
答:Flash存储器常当作硬盘使用,而SDRAM则类似内存,Flash用于存放程序代码、常量表,以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。
3.在读写数据速度上,Nor-Flash 与Nand-Flash有什么区别?
答:Nor-Flash的读取速度比Nand-Flash快;
Nand-Flash的写入速度和擦除速度比Nor-Flash快。
4.简述SDRAM在ARM系统中的主要作用。
答:SDRAM 具有高速、大容量等优点,是一种具有同步接口的高速动态随机存储器,在ARM系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。
5.区别ARM外启动方式和内启动方式的不同。
答:外启动方式下,ARM从外部程序存储器取指令执行;
内启动时,ARM运行片上ROM中固化的启动程序。
1. Nand-Flash闪存每个块的最大擦写次数是______万次,而Nor的擦写次数是______万次。
答案:100、10
2.MTD核心层分为:______层、______层和______层。
答案:用户模块接口、MTD抽象、MTD设备驱动模块
3.Nor-Flash常用于存放______,而Nand-Flash存放______。
答案:系统代码、用户信息
4.作为高速缓存的存储器主要有______、______和______。
答案:SRAM、DRAM、Flash ROM
5.动态RAM有______和______。
答案:SDRAM、DDR
6.ARM有从外部______启动的外启动和从片上______启动的内启动两种启动方式。
答案:SDRAM、ROM
问答题
1.简述嵌入式设备中程序运行方式。
答:嵌入式设备中程序运行方式有两种:一种是将程序加载到SDRAM中运行,另一种是程序直接在其所在的ROM/Flash存储器中运行。
2.与SDRAM相比,Flash在ARM系统中的主要作用是什么?
答:Flash存储器常当作硬盘使用,而SDRAM则类似内存,Flash用于存放程序代码、常量表,以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。
3.在读写数据速度上,Nor-Flash 与Nand-Flash有什么区别?
答:Nor-Flash的读取速度比Nand-Flash快;
Nand-Flash的写入速度和擦除速度比Nor-Flash快。
4.简述SDRAM在ARM系统中的主要作用。
答:SDRAM 具有高速、大容量等优点,是一种具有同步接口的高速动态随机存储器,在ARM系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。
5.区别ARM外启动方式和内启动方式的不同。
答:外启动方式下,ARM从外部程序存储器取指令执行;
内启动时,ARM运行片上ROM中固化的启动程序。
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