FLASH模拟EEPROM
2017-02-27 21:33
232 查看
STM32编程方式:
1、在线编程(ICP,In-Circuit Programming):
通过JTAG/SWD协议或者系统加载程序(Bootloader)下载用户应用程序到微控制器中。
2、在程序中编程(IAP,In Application Programming):
通过任何一种通信接口(如IO端口,USB,CAN,UART,I2C,SPI等)下载程序或者应用数据到存储器中。也就是说,STM32允许用户在应用程序中重新烧写闪存存储器中的内容。然而,IAP需要至少有一部分程序已经使用ICP方式烧到闪存存储器中(Bootloader)。
闪存模块存储器组织 共1M
①主存储器
从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000, B0、B1都接GND的时候,就是从0X08000000开始运行代码的。
②系统存储器
存放STM32F4的bootloader代码,此代码是出厂的时候就固化在STM32F4里面了,专门来给主存储器下载代码的。当B0接V3.3,B1接GND的时候,从该存储器启动(即进入串口下载模式)
③OTP区域
一次性可编程区域,共528字节,被分成两个部分,前面512字节(32字节为1块,分成16块),可以用来存储一些用户数据(一次性的,写完一次,永远不可以擦除!!),后面16字节,用于锁定对应块。
④选项字节
用于配置读保护、BOR级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。
FLASH闪存的读取
我们要从地址addr,读取一个字(字节为8位,半字为16位,字为32位),可以通过如下的语句读取:
data=(vu32)addr;
将addr强制转换为vu32指针,然后取该指针所指向的地址的值,即得到了addr地址的值。
注意
为了准确读取 Flash 数据,必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY).
供电电压,我们一般是3.3V,所以,在我们设置168Mhz频率作为CPU时钟之前,必须先设置LATENCY为5,否则FLASH读写可能出错,导致死机。
FLASH闪存的编程(写)和擦除操作
在对 STM32F4的Flash执行写入或擦除操作期间,任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后,才能正确处理读操作。
FLASH编程注意事项
1、STM32F4复位后,FLASH编程操作是被保护的,不能写入FLASH_CR寄存器;通过写入特定的序列(0X45670123和0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护,只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。
FLASH_CR的解锁序列为:
1)写0X45670123(KEY1)到FLASH_KEYR
2)写0XCDEF89AB(KEY2)到FLASH_KEYR
2、STM32F4闪存的编程位数可以通过FLASH_CR的PSIZE字段配置,PSIZE的设置必须和电源电压匹配,由于我们开发板用的电压是3.3V,所以PSIZE必须设置为10,即32位并行位数。
3、STM32F4的FLASH在编程的时候,也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(也就是其值必须是0XFFFFFFFF),否则无法写入。
STM32F4的标准编程步骤如下:
1、检查FLASH_SR中的BSY位,确保当前未执行任何FLASH操作。
2、将FLASH_CR寄存器中的PG位置1,激活FLASH编程。
3、针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作:
—并行位数为x8时按字节写入(PSIZE=00)
—并行位数为x16时按半字写入(PSIZE=01)
—并行位数为x32时按字写入(PSIZE=02)
—并行位数为x64时按双字写入(PSIZE=03)
4、等待BSY位清零,完成一次编程。
几点要注意:1,编程前,要确保要写如地址的FLASH已经擦除。2,要先解锁(否则不能操作FLASH_CR)。3,编程操作对OPT区域也有效,方法一模一样。
闪存擦除
在STM32F4的FLASH编程的时候,要先判断缩写地址是否被擦除了
1、扇区擦除 2、整片擦除。
扇区擦除步骤
1、检查FLASH_CR的LOCK是否解锁,如果没有则先解锁
2、检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位,确保当前未执行任何FLASH操作
3、在FLASH_CR寄存器中,将SER位置1,并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区 (SNB)
4、将FLASH_CR寄存器中的STRT位置1,触发擦除操作
5、等待BSY位清零
批量擦除步骤
1、检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位,确保当前未执行任何FLASH操作
2、在FLASH_CR寄存器中,将MER位置1 (STM32F407xx)
3、将FLASH_CR寄存器中的STRT位置1,触发擦除操作
4、等待BSY位清零
FLASH操作相关寄存器
1、FLASH访问控制寄存器(FLASH_ACR)
2、FLASH密匙寄存器(FLASH_KEYR)
3、FLASH控制寄存器(FLASH_CR)
4、FLASH状态寄存器(FLASH_SR)
相关用法查手册
FLSH操作总结
1、锁定解锁函数
对FLASH进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列(KEY1和KEY2),固件库函数实现:void FLASH_Unlock(void);
同样的道理,在对FLASH写操作完成之后,我们要锁定FLASH
void FLASH_Lock(void);
2、写操作函数
3、擦除函数
FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors(uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Sectors(uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank2Sectors(uint8_t VoltageRange)
前面两个函数一个是用来擦除某个Sector,一个使用来擦除全部的sectors。
4、获取状态函数
主要是用的函数是:
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
5、等待操作完成函数
每次操作之前,我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是:
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
入口参数为等待时间,返回值是FLASH的状态
6、读FLASH特定地址数据函数
读取FLASH指定地址的字的函数固件库并没有给出来,这里我们自己写的一个函数:
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return (vu32)faddr;
}
stmflash.h
stmflash.c
main.c
实验现象:
本实验开机后,先显示一些提示信息,然后在主循环里面检测两个按键,其中1个按键(KEY1)用来执行写
入FLASH的操作,另外一个按键(KEY0)用来执行读出操作,在TFTLCD模块上显示相关信息。同时用DS0提
示程序正在运行。
1、在线编程(ICP,In-Circuit Programming):
通过JTAG/SWD协议或者系统加载程序(Bootloader)下载用户应用程序到微控制器中。
2、在程序中编程(IAP,In Application Programming):
通过任何一种通信接口(如IO端口,USB,CAN,UART,I2C,SPI等)下载程序或者应用数据到存储器中。也就是说,STM32允许用户在应用程序中重新烧写闪存存储器中的内容。然而,IAP需要至少有一部分程序已经使用ICP方式烧到闪存存储器中(Bootloader)。
闪存模块存储器组织 共1M
①主存储器
从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000, B0、B1都接GND的时候,就是从0X08000000开始运行代码的。
②系统存储器
存放STM32F4的bootloader代码,此代码是出厂的时候就固化在STM32F4里面了,专门来给主存储器下载代码的。当B0接V3.3,B1接GND的时候,从该存储器启动(即进入串口下载模式)
③OTP区域
一次性可编程区域,共528字节,被分成两个部分,前面512字节(32字节为1块,分成16块),可以用来存储一些用户数据(一次性的,写完一次,永远不可以擦除!!),后面16字节,用于锁定对应块。
④选项字节
用于配置读保护、BOR级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。
FLASH闪存的读取
我们要从地址addr,读取一个字(字节为8位,半字为16位,字为32位),可以通过如下的语句读取:
data=(vu32)addr;
将addr强制转换为vu32指针,然后取该指针所指向的地址的值,即得到了addr地址的值。
注意
为了准确读取 Flash 数据,必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY).
供电电压,我们一般是3.3V,所以,在我们设置168Mhz频率作为CPU时钟之前,必须先设置LATENCY为5,否则FLASH读写可能出错,导致死机。
FLASH闪存的编程(写)和擦除操作
在对 STM32F4的Flash执行写入或擦除操作期间,任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后,才能正确处理读操作。
FLASH编程注意事项
1、STM32F4复位后,FLASH编程操作是被保护的,不能写入FLASH_CR寄存器;通过写入特定的序列(0X45670123和0XCDEF89AB)到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护,只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。
FLASH_CR的解锁序列为:
1)写0X45670123(KEY1)到FLASH_KEYR
2)写0XCDEF89AB(KEY2)到FLASH_KEYR
2、STM32F4闪存的编程位数可以通过FLASH_CR的PSIZE字段配置,PSIZE的设置必须和电源电压匹配,由于我们开发板用的电压是3.3V,所以PSIZE必须设置为10,即32位并行位数。
3、STM32F4的FLASH在编程的时候,也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(也就是其值必须是0XFFFFFFFF),否则无法写入。
STM32F4的标准编程步骤如下:
1、检查FLASH_SR中的BSY位,确保当前未执行任何FLASH操作。
2、将FLASH_CR寄存器中的PG位置1,激活FLASH编程。
3、针对所需存储器地址(主存储器块或OTP区域内)执行数据写入操作:
—并行位数为x8时按字节写入(PSIZE=00)
—并行位数为x16时按半字写入(PSIZE=01)
—并行位数为x32时按字写入(PSIZE=02)
—并行位数为x64时按双字写入(PSIZE=03)
4、等待BSY位清零,完成一次编程。
几点要注意:1,编程前,要确保要写如地址的FLASH已经擦除。2,要先解锁(否则不能操作FLASH_CR)。3,编程操作对OPT区域也有效,方法一模一样。
闪存擦除
在STM32F4的FLASH编程的时候,要先判断缩写地址是否被擦除了
1、扇区擦除 2、整片擦除。
扇区擦除步骤
1、检查FLASH_CR的LOCK是否解锁,如果没有则先解锁
2、检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位,确保当前未执行任何FLASH操作
3、在FLASH_CR寄存器中,将SER位置1,并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区 (SNB)
4、将FLASH_CR寄存器中的STRT位置1,触发擦除操作
5、等待BSY位清零
批量擦除步骤
1、检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位,确保当前未执行任何FLASH操作
2、在FLASH_CR寄存器中,将MER位置1 (STM32F407xx)
3、将FLASH_CR寄存器中的STRT位置1,触发擦除操作
4、等待BSY位清零
FLASH操作相关寄存器
1、FLASH访问控制寄存器(FLASH_ACR)
2、FLASH密匙寄存器(FLASH_KEYR)
3、FLASH控制寄存器(FLASH_CR)
4、FLASH状态寄存器(FLASH_SR)
相关用法查手册
FLSH操作总结
1、锁定解锁函数
对FLASH进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列(KEY1和KEY2),固件库函数实现:void FLASH_Unlock(void);
同样的道理,在对FLASH写操作完成之后,我们要锁定FLASH
void FLASH_Lock(void);
2、写操作函数
3、擦除函数
FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors(uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Sectors(uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank2Sectors(uint8_t VoltageRange)
前面两个函数一个是用来擦除某个Sector,一个使用来擦除全部的sectors。
4、获取状态函数
主要是用的函数是:
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
5、等待操作完成函数
每次操作之前,我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是:
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
入口参数为等待时间,返回值是FLASH的状态
6、读FLASH特定地址数据函数
读取FLASH指定地址的字的函数固件库并没有给出来,这里我们自己写的一个函数:
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return (vu32)faddr;
}
stmflash.h
#ifndef __STMFLASH_H__ #define __STMFLASH_H__ #include "sys.h" //FLASH起始地址 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址 //FLASH 扇区的起始地址 #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((u32)0x08000000) //扇区0起始地址, 16 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((u32)0x08004000) //扇区1起始地址, 16 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((u32)0x08008000) //扇区2起始地址, 16 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((u32)0x0800C000) //扇区3起始地址, 16 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((u32)0x08010000) //扇区4起始地址, 64 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((u32)0x08020000) //扇区5起始地址, 128 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((u32)0x08040000) //扇区6起始地址, 128 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((u32)0x08060000) //扇区7起始地址, 128 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((u32)0x08080000) //扇区8起始地址, 128 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((u32)0x080A0000) //扇区9起始地址, 128 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((u32)0x080C0000) //扇区10起始地址,128 Kbytes #define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((u32)0x080E0000) //扇区11起始地址,128 Kbytes u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr); //读出字 void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite); //从指定地址开始写入指定长度的数据 void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead); //从指定地址开始读出指定长度的数据 #endif
stmflash.c
#include "stmflash.h" #include "delay.h" #include "usart.h" //读取指定地址的半字(16位数据) //faddr:读地址 //返回值:对应数据. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr) { return *(vu32*)faddr; } //获取某个地址所在的flash扇区 //addr:flash地址 //返回值:0~11,即addr所在的扇区 uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr) { if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10; return FLASH_Sector_11; } //从指定地址开始写入指定长度的数据 //特别注意:因为STM32F4的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数 // 写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以 // 写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里 // 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区! //OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!) //pBuffer:数据指针 //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.) void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite) { FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; u32 addrx=0; u32 endaddr=0; if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址 起始地址小于基地址或不是字 FLASH_Unlock(); //解锁 FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存 addrx=WriteAddr; //写入的起始地址 endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址 一个字占四个地址 if(addrx<0X1FFF0000) //只有主存储区,才需要执行擦除操作!! { while(addrx<endaddr) //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除) { if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区 { status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间!! if(status!=FLASH_COMPLETE)break; //发生错误了 一直循环查询扇区有没有擦除,直到扇区地址结束 }else addrx+=4;//如果已经擦除了那么地址值加4 } } if(status==FLASH_COMPLETE) { while(WriteAddr<endaddr)//写数据 { if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据 { break; //写入异常 } WriteAddr+=4; pBuffer++; } } FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); //FLASH擦除结束,开启数据缓存 FLASH_Lock();//上锁 } //从指定地址开始读出指定长度的数据 //ReadAddr:起始地址 //pBuffer:数据指针 //NumToRead:字(4位)数 void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead) { u32 i; for(i=0;i<NumToRead;i++) { pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节. ReadAddr+=4;//偏移4个字节. } }
main.c
#include "sys.h" #include "delay.h" #include "usart.h" #include "led.h" #include "lcd.h" #include "stmflash.h" #include "key.h" //要写入到STM32 FLASH的字符串数组 const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32 FLASH TEST"}; #define TEXT_LENTH sizeof(TEXT_Buffer) //数组长度 #define SIZE TEXT_LENTH/4+((TEXT_LENTH%4)?1:0) #define FLASH_SAVE_ADDR 0X0800C004 //设置FLASH 保存地址(必须为偶数,且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区. //否则,写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机. int main(void) { u8 key=0; u16 i=0; u8 datatemp[SIZE]; NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置系统中断优先级分组2 delay_init(168); //初始化延时函数 uart_init(115200); //初始化串口波特率为115200 LED_Init(); //初始化LED LCD_Init(); //LCD初始化 KEY_Init(); //按键初始化 POINT_COLOR=RED;//设置字体为红色 LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer STM32F4"); LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"FLASH EEPROM TEST"); LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK"); LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/9"); LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY1:Write KEY0:Read"); while(1) { key=KEY_Scan(0); if(key==KEY1_PRES) //KEY1按下,写入STM32 FLASH { LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏 LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Write FLASH...."); STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE); LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成 } if(key==KEY0_PRES) //KEY0按下,读取字符串并显示 { LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Read FLASH.... "); STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE); LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The Data Readed Is: ");//提示传送完成 LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串 } i++; delay_ms(10); if(i==20) { LED0=!LED0;//提示系统正在运行 i=0; } } }
实验现象:
本实验开机后,先显示一些提示信息,然后在主循环里面检测两个按键,其中1个按键(KEY1)用来执行写
入FLASH的操作,另外一个按键(KEY0)用来执行读出操作,在TFTLCD模块上显示相关信息。同时用DS0提
示程序正在运行。
相关文章推荐
- eCos flash模拟EEPROM实现NV系统
- Flash模拟EEPROM的方法
- STM32 FLASH模拟 EEPROM
- STM32F10x Flash 模拟 EEPROM
- STM32 FLASH模拟EEPROM 使用和优化(转)
- STM32使用内部flash模拟EEPROM
- F4_Flash模拟EEPROM
- STM32F1x系列——Flash 模拟 EEPROM
- STC DATAFLASH 模拟EEPROM
- EEPROM和flash的区别
- 延长FLASH和EEPROM芯片写入次数的小方法
- EEPROM和flash的区别
- EEPROM和flash的区别 及 nor flash和nand flash
- Flash中模拟创建系统颜色样本(颜色拾取器)
- Flash和EEPROM的区别
- ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH-ROM芯片的区别
- FLASH与EEPROM的区别
- EEPROM与FLASH
- FLASH和EEPROM的最大区别
- ram rom flash eeprom ddr...这些都是什么鬼