【Get深一度】IGBT的栅极特性和SID11x2K的简要介绍

1) 预防IGBT栅极过电压的有效措施有哪些？

   预防措施有：

              1.采用绞线传送驱动信号减小连线电感。

              2.在栅极连线中串联小阻值电阻或小磁环。

              3.在栅-射极间并联反串联的稳压管或旁路电阻。

     

2) IGBT 关断时给其栅-射极施加一定的负偏压有何作用？

   作用在于：  

              1.提高IGBT 装置的抗干扰能力,2

              2.增强IGBT关断时所能承受的电压上升率





3) IGBT开通时，实际运行中UGE 的上升率减缓了许多, 是何原因引起，如何预防？

   引起原因：

              1.首先是射极杂散电感LE 上的感应电压；

                集电极电流的增加使LE 产生1 个抵消栅极电压的电压, 并减缓了

                集电极电流的增长。

              2.栅-集电容CGC的“密勒” 效应；

                集电极电流达到最大值, 集-射电压UCE开始下降。集-射电压UCE 的

                下降使栅-集电容CGC放电, 在驱动电路中增加了CGC的容性电流, 使

                得在驱动电路内阻抗上的压降增加, 造成栅-射电压UGE降低。

   预防办法：

              1.使IGBT 模块的LE 、CGC 及栅极驱动源的内阻尽量小。

4) SID11x2K是采用标准eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器，峰值输出驱动电流与最高开关频率是多少？

   峰值输出驱动电流：可达8 A，足以直接驱动450 A（典型值）的开关器件。

   最高开关频率：最高250 kHz；

5) IGBT驱动芯片SID11x2K比MC33153有哪些优点？

   优点：     1.SID11x2K具有原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈；

                  2.高度集成，封装紧凑；