PCM性质

电阻偏移，持久性有一个有限的时间，最大10^7s。与相邻的单元发生冲突。
读性能与DRAM差不多，但写性能相差较大。
非易失性 non-volatility
byte-addressability
写的速度越快，持久性越差，相反也成立。因为，target band 越大，写的速度越快，持久性就越差。target band 越小，需要迭代写——以使cell达到所需的电阻要求——的次数就越多，因此速度就越慢。