2.2存储器
2016-05-28 15:00
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主要知识点
1:存储器主要分类为ROM(只读),Flash(闪存),RAM(随机存取存储器)和光盘磁盘存储器
2:ROM分为可编程和不可编程以及可擦除可编程,电可擦除可编程。代号分别为ROM、PROM、EPROM、EEPROM
3:Flash闪存主要有NOR和NAND。NOR的特点是可以在芯片中执行程序而NAND不可以。NAND Flash以块设备进行访问。
4:NAND 比NOR容量大,成本低。且最大擦写次数是100万次,而NOR只有10万次。
5:由于Flash的电器特性,在读写的时候,偶然会产生1位或几位数据错误。而NAND发生的概率远大于NAND。所以他们使用时要采用EDC/ECC算法。这种算法
没研究,而且感觉暂时也没有研究的必要
6:Flash编程原理是只能将1写为0,而不能将0写为1。所以编程前要将对应的块进行擦除,而擦除的过程就是把所有位写为1的过程。块内所有字节都变为0xff。真是神奇的
特性啊。所以对Flash编程,不要总是在同一个位置擦写,容易参数坏块
7:RAM分为静态RAM和动态RAM。虽然都是掉电就清空,但是动态RAM要定期刷新,而SRAM则不需要,这个参数的原因是他们的硬件组成不一样。
8:CAM是内容寻址存储器,感觉就是一个内容比较器,输入项和CAM中的数据比较,输出他的数据地址和匹配标志。当然优点肯定是比软件比较性能高了。
1:存储器主要分类为ROM(只读),Flash(闪存),RAM(随机存取存储器)和光盘磁盘存储器
2:ROM分为可编程和不可编程以及可擦除可编程,电可擦除可编程。代号分别为ROM、PROM、EPROM、EEPROM
3:Flash闪存主要有NOR和NAND。NOR的特点是可以在芯片中执行程序而NAND不可以。NAND Flash以块设备进行访问。
4:NAND 比NOR容量大,成本低。且最大擦写次数是100万次,而NOR只有10万次。
5:由于Flash的电器特性,在读写的时候,偶然会产生1位或几位数据错误。而NAND发生的概率远大于NAND。所以他们使用时要采用EDC/ECC算法。这种算法
没研究,而且感觉暂时也没有研究的必要
6:Flash编程原理是只能将1写为0,而不能将0写为1。所以编程前要将对应的块进行擦除,而擦除的过程就是把所有位写为1的过程。块内所有字节都变为0xff。真是神奇的
特性啊。所以对Flash编程,不要总是在同一个位置擦写,容易参数坏块
7:RAM分为静态RAM和动态RAM。虽然都是掉电就清空,但是动态RAM要定期刷新,而SRAM则不需要,这个参数的原因是他们的硬件组成不一样。
8:CAM是内容寻址存储器,感觉就是一个内容比较器,输入项和CAM中的数据比较,输出他的数据地址和匹配标志。当然优点肯定是比软件比较性能高了。
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