Memory中的Channel/Rank/Bank解析

Memory中的Channel/Rank/Bank解析

最近在看网卡底层驱动的一些资料，被内存

bank

，

rank

，

channel

这些关于

memory

的名词搞得绕来绕去，网上查了一些资料，说得也不全面。在这里让我们一步一步来拆解

memory

的神秘面纱，从架构到读写逐步解开这块秘密。

发挥性

memory

分两种，

SRAM

与

DRAM

RAM(Random Access Memory)

随机存取内存，之所以叫做“随机存取”，是因为相对于早期现行存储媒介（磁带？很久以前的）而言，因为磁带的存取是线性的（还记得快进/倒带 那个滋溜爽），存取时间由目前磁带位置和目的位置的距离而定（类似数据结构中的线性表）。需要转动刺头到应有的位置，因此距离越长，转的就越久了，读写时间也越久。而伟大的

RAM

没有这种限制，存取时间为固定值（类似数组这种下表式访问，下标就是地址），不会因为存储资料在

memory

中的位置而影响读取时间。

RAM

大致可以分为两种：

SRAM

与

DRAM

，这两者基本原理上有相同的地方，都是将电荷存储到记忆体内部，由此针对不同的电荷存储0 or 1.

SRAM(Static Random Access Memory)

静态随机存储memory和

DRAM(Dynamic Random Access Memory)

有几点不同：

SRAM

的结构比较复杂，单位面积的容量少，存取速度很快；

DRAM

则结构简单，单位面积存储的容量比较多，存取时间相对

SRAM

慢，同时

DRAM

因为构造比较简单，存储的电荷惠随着时间逐渐消失，因此需要定时再充电（

Refresh

），以保持电容存储的资料。





由图中的

SRAM

和

DRAM

构造可以知道，

SRAM

采用正反三极管+电容（

flip-flop

）构造存储器，

DRAM

则是采用电容式存储（md，这两图看着好熟悉，就是看不懂早忘了，欲哭无泪）。因为

SRAM

和

DRAM

的种种特性上的不同，

SRAM

比较适合作为暂存器，配合CPU快速存取使用。

DRAM

则适合作为主要的memory记忆体而使用。

易失性存储器与非易失性存储器

易失性存储器/记忆体(

Volatile Memory

)和非易失性存储器/记忆体(

Non-Volatile Memory

)之间的差异在于，断电之后是否还可以保存内部存储的资料。挥发性记忆体的资料将会随着失去电力的供应而消失，而非挥发性记忆体依然可以保存有内部的资料。

内存子系统

DRAM

由于构造简单，高密度，作为电脑内部的主要记忆体非常适合。但由于主存通常放在

CPU

之外，从工厂出来的颗粒需要封装和组合之后才可以和

CPU

相连，因此从

CPU

到

DRAM

颗粒之间依次按层级由大到小分为

channel > DIMM > rank > chip > bank > row/column

。（和lz之前想的差不多，就跟先到哪条街道，哪个小区单元，哪个栋楼，几层几单元的地址格局一样）。下面，让我们来一一说明这些部分：

内存的结构（从上往下，由大到小）



内存从channel到chip的对应关系。这里特别要注意，rank和内存条的面没有必然关系，虽然图中这么画了，但是不要误导大家，就是示意一下，下面会有详细介绍。



chip 再往下拆分为 bank



bank 再往下拆分就是一个个的存储单位，横排为

row

，纵列为

column

，每排

column

的下方都有一个

row buffer

，用来暂存刚刚读取出来的某个

row

排的资料。(是不是很简单，是不是很像你家小区的格局？Yeah！so easy ~)



单个DRAM颗粒内部的功能区块图（图片来自Micron)

channel

和

DIMM

从内存控制器出来之后，最先到达的是

channel

，每个

channel

都需要配有一组内存控制器，2个

channel

两个……以此类推。而每个

channel

中能够有很多组

DIMM(Dual In-line Memory Module)

，

DIMM

就是目前能够在消费市场上买到的大家平时能看到的内存模组。因为n多年前的主板必须购买内存颗粒（chip）自己插在主板上（想想知道为啥那时候大师都厉害了吧，这组成原理在实践中就得到了锻炼），然后发展出

SIMM (Single In-line Memory Module)

，将多组内存颗粒(

chip

)焊在一块电路板上，成为内存模组，再将次电路板插在主板上。接着为了增加吞吐量，将一条内存模组的位宽从

SIMM

的32bit升级到

DIMM

的64bit，这个设计沿用至今。

从内存颗粒过度到

SIMM

的时代，坊间曾出现替使用者将内存颗粒焊接到

SIMM

电路板上的私活，因为当时的内存条非常贵，所以稍微花点小钱就可以把内存颗粒换到新的电脑上。

rank

和

chip

rank

指的是连接到同一个

cs(Chip Select，片选)

的所有内存颗粒chips，内存控制器能够对同一个

rank

的所有chips同时进行读写操作，而在同一个

rank

的

chip

也分享同样的控制信号。以目前的电脑来说，因为一组channel的位宽是64bit，所以能够同时读写8byte的资料，如果是具有

ECC

功能的内存控制器和

ECC

内存模组，那么一组channel的位宽就是72bit。



rank1和rank2共享同一组

addr/command

信号线，利用cs片选线选择欲读取或是写入的那一组，之后将存储内容经由

MUX

多路器送出。

很多人有错误的理解，常以

chip

的数量或是以内存模组的单/双面对

rank

进行判断，但实际上应该以内存控制器和内存颗粒的规格进行判断。目前家用PC的内存控制器通道绝大部分是64bit宽，内存颗粒的位宽是8bit。因此8颗颗粒就可以满足内存控制器的需求，也就是一组

rank

。但偶尔也有以16bit位宽的内存颗粒制成的内存模组，此时4个颗粒chip就是一组

rank

。

这在采用Intel H61/H81 芯片组 和 传统单channel的主板时需要特别注意，因为Intel限制H64/H81每个channel仅能支持2组

rank

，而不是4组

rank

，部分主板每个channel又做了2组内存模组插槽，造成部分使用者同组channel放入2条内存模组（内存条）时能够识别全部的内存容量（对于双面单

rank

的内存模组是这样），然而部分使用者则仅能识别一半的容量（双面双

rank

的内存模组）。

bank

，

row

，

column

bank

再往下分就是实际存储单位元的电路，一般来说横向选择排数的线路称为

row(row enable, row select, word line)

，纵向负责传送信号的线路称为

column(bitline)

，每组

bank

的下方还会有个

row buffer(sense amplifer)

，负责将读出的

row

内容暂存，等待

column

位址送到后输出正确的位元，以及判断存储的内容是0还是1.

一个bank的读取操作。



一个bank的写入操作。

内存的读写方式

上图标明了内存的读写方式，读取时首先内存控制器将1组位址现传到内存上，控制器跟着传送控制信号；如果是多

rank

的情况，

CS

也会送到对应信号选择的目标

rank

上。接着由于每个

rank

是由多个

chip

组成，每个

chip

仅负责部分的资料读取，

chip

接收到位址信号后，将位址放入内部的

row/column

解码器找出对应的

bank

位址（每家厂商每款产品内部的

bank

组合可能不同，因此相应地也会略有不同），接着开启

row

线，同一排

row

的内部内容就会流到

row buffer

内部，

row buffer

判断信号为0或是1之后就输出存储内容。

写入时除了位址资料以外，还会传送欲写入的内容至芯片内部的

input buffer

，同样的也是按照

row/column

解码器找出对应位址之后写入。

内存控制器和DIMM之间的线路关系

越多越好，加速读写能力

家用电脑的内存控制器已经进入双通道内存控制器多年，加速原理为增加位宽，达到同时读写更多资料的能力。

另一种增加频宽的方法就是减少延迟，利用多个

chip

或是

bank

达成。一般的内存读取延迟为 命令下达 + 内存读取延迟 + 输出内容，如果命令下达延迟为2ns，内存读取延迟为10ns，输出内容延迟为2ns，那么读取两笔资料的延迟就是 (2+10+2) × 2 = 28ns。

如果能够将资料拆分到2颗内存颗粒上，那么这两笔读取延迟将降低至2+2+10+2=16ns，因为不需要等到前面一笔资料的读取完成才发出下一笔的读取命令，在第一笔资料进入内存读取时就可发出。这种概念也可应用到目前的SSD上，较多的

ce

分装的快速记忆芯片，通常都比较少

ce

封装的芯片来得快。

由时序图可以知道，下凡此种尽量拆分内存空间的作法，可以大幅减少延迟。