STM8L151 在IAR中实现Flash/EEPROM的擦写

在 STM8L151G6U6中可支持字节擦写和块擦写，块擦写可一次擦写很所字节。字节擦写比较简单，需要注意的是块擦写，在块擦写中，需要配置一个地方。



对于IAR来说，

Uncomment the line “#define RAM_EXECUTION (1)” in the stm8l15x.h file to enable the FLASH functions execution from RAM through the specific __ramfunc keyword.

之后可在程序中调用Flash_BlockProgram();来进行块擦写。

在main函数前要做以下声明：

#ifdef _RAISONANCE_
/* needed by memcpy for raisonance */
#include <string.h>
extern int __address__FLASH_EraseBlock;
extern int __size__FLASH_EraseBlock;
extern int __address__FLASH_ProgramBlock;
extern int __size__FLASH_ProgramBlock;
#endif /*_RAISONANCE_*/

/* Private function prototypes -----------------------------------------------*/
/* Declare _fctcpy function prototype as it is packaged by default in the Cosmic
machine library */
#ifdef _COSMIC_
int _fctcpy(char name);
#endif /*_COSMIC_*/

之后可使用下面函数来进行擦写到epprom中，

void Flash_WriteDataBlock(uint8_t block_count, uint8_t *Buffer)
{
FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Data);//可以擦写EEPROM或Flash:FLASH_Unlock(FLASH_MemType_Program);
while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_DUL) == RESET)
{}
FLASH_ProgramBlock(block_count, FLASH_MemType_Data, FLASH_ProgramMode_Standard, Buffer);

while (FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_HVOFF) == RESET)
{}
//FLASH_WaitForLastOperation();
FLASH_Lock(FLASH_MemType_Data);
}

之后编译即可，不知道是否要将工程设置为支持C标准库，可能要，测试成功的工程是做了这个设置的，大家也可以自己做一下测试