内存

缘由

想扩展电脑内存条

市场常用内存类型

DDR SDRAM，简称DDR。目前DDR中用的最广泛的是DDR3。

DDR频率

内存涉及两个频率：

1. 实际频率

2. 等效频率

实际频率 = 等效频率 X 2

DDR内存是取代SDR内存的，因此面世的时候，性能是比较SDR来说的。DDR，第一个D是Double的意思，即同一周期内，数据传输两次（SDR只有一次）。因此，DDR内存的实际频率X2就是“等效频率”（即同样性能下，SDR需要多少实际频率）。

例：

DDR 266实际频率133MHZ

DDR 333实际频率166MHZ

DDR 400实际频率200MHZ

DDR2 533实际频率266.5MHZ

DDR2 667实际频率333.5MHZ

DDR2 800实际频率400MHZ

DDR2 1066实际频率533MHZ

DDR3 1066实际频率533MHZ

DDR3 1333实际频率666.5MHZ

DDR3 1600实际频率800MHZ

内存单面和双面的区别

单面的技术先进、稳定；双面的兼容性好。双面内存是比较旧的技术，单面内存是新技术。但在同样的频率下，性能是一样的。

双面内存是因为单个颗粒的容量低，为了容纳更大的容量，必须用很多的颗粒，就必须双面使用。这是容量的区别，不是性能的区别。

双面内存，因为电路复杂，颗粒多，所以出故障的机率就多。而单面内存，电路简单，出错的机率小，稳定率高。

查看电脑内存的相关信息

AIDA64 – 主板 – SPD

标准电压及低电压

标准电压： 1.5V

低电压： 1.35V

内存时序

一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”

CAS Latency（简称CL值）：内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，列寻址所需要的时钟周期（周期的数量表示延迟的长短）；

RAS－to－CAS Delay（tRCD）：行寻址和列寻址时钟周期的差值;

RAS Precharge Delay（tRP）：在下一个存储周期到来前，预充电需要的时钟周期;

Row Active Delay（tRAS）：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。