张飞硬件开关电源一
2016-05-02 08:14
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开关电源 理想通断波形和真实通断波形
IGBT 与mos管相比 优缺点。导通压降为定值,结果为导通损耗低。
三极管与mos管 比较优缺点, 三极管做LDO时方案,关断时一直有损耗
MOS管 发热大时,影响产品性能。
电容上没有串联电阻时, 产生浪涌电流的损害。
开关电源 理想通断波形和真实通断波形
IGBT 与mos管相比 优缺点。导通压降为定值,结果为导通损耗低。
三极管与mos管 比较优缺点, 三极管做LDO时方案,关断时一直有损耗
MOS管 发热大时,影响产品性能。
电容上没有串联电阻时, 产生浪涌电流的损害。
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