DDR3L和LPDDR3区别
2016-03-23 09:06
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DDR3L和LPDDR3区别
DDR3L全称“DDR3 Low Voltage”(低电压版DDR3),将运行电压从标准版DDR3的1.5V进一步降低到了1.35V,并保持功能上的全面兼容,在同等性能和负载下相比标准版DDR3功耗可降低15%或者更多,而相比于1.8V DDR2更是可以节能40%。Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR SDRAM的一种,又称为 mDDR(Mobile DDR SDRM),是美国JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。电压1.2V。
第三代低功耗内存技术LPDDR3的标准规范于2012年5月由JEDEC固态技术协会正式发布。
LPDDR3也一样支持PoP堆叠封装和独立封装,以满足不同类型移动设备的需要。
除此之外,LPDDR3重点加入了新技术:
- Write-Leveling and CA Training(写入均衡与指令地址调驯):可让内存控制器补偿信号偏差,确保内存运行于业内最快输入总线速度的同时,维持数据输入设定、指令与地址输入时序均满足需求。
- On Die Termination(片内终结器/ODT):可选技术,为LPDDR3数据平面增加一个轻量级终结器,改进高速信号传输,并尽可能降低对功耗、系统操作和针脚计数的影响。
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