EMV卡复位应答的时间特性 ---ISO7816协议
2016-01-14 13:39
253 查看
1.冷复位的时间特性
图1
如图1所示:
T0为200clk
从T0结束到RST变为高电平为40000-45000个clock
从RST变为高电平后,卡片必须在400-40000个clock之间应答,对于终端,必须能正确接收卡片在380-42000个clock之间回复的ATR.
如果卡片未能在400-40000个clock之间给予应答,则终端应在42000个clock后启动deactivation
2.热复位的时间特性
图 2
如图2所示,热复位的时间特性如图所示:
在RST置为低电平后的200clock内,终端和卡片都必须保证io在接收态
在RST置为低电平后的200clock后,终端必须保证其IO在高电平
从RST置为低电平到RST置为高电平之间的时间应在40000-45000个clock1之间
卡片应在RST置为高电平后的400-40000个clock之间给予应答
终端必须能正确接收卡片从RST变为高电平后的380-42000个clock之间的应答
如果卡片未能正确回复或者未回复,则终端应在RST变为高电平后的42000个clock后启动deactivation
3.deactivation序列
图3
deactivation的时序如图3所示:
首先RST变为低电平
CLK变为低电平
IO变为低电平
VCC变为低电平,其低电平电压小于0.4V
整个过程在100ms内完成
图1
如图1所示:
T0为200clk
从T0结束到RST变为高电平为40000-45000个clock
从RST变为高电平后,卡片必须在400-40000个clock之间应答,对于终端,必须能正确接收卡片在380-42000个clock之间回复的ATR.
如果卡片未能在400-40000个clock之间给予应答,则终端应在42000个clock后启动deactivation
2.热复位的时间特性
图 2
如图2所示,热复位的时间特性如图所示:
在RST置为低电平后的200clock内,终端和卡片都必须保证io在接收态
在RST置为低电平后的200clock后,终端必须保证其IO在高电平
从RST置为低电平到RST置为高电平之间的时间应在40000-45000个clock1之间
卡片应在RST置为高电平后的400-40000个clock之间给予应答
终端必须能正确接收卡片从RST变为高电平后的380-42000个clock之间的应答
如果卡片未能正确回复或者未回复,则终端应在RST变为高电平后的42000个clock后启动deactivation
3.deactivation序列
图3
deactivation的时序如图3所示:
首先RST变为低电平
CLK变为低电平
IO变为低电平
VCC变为低电平,其低电平电压小于0.4V
整个过程在100ms内完成
相关文章推荐
- Java回调理解 (step by step)
- 我的前端页面开发js简易有效环境
- IOS中xib+代码实现自定义cell中嵌套
- 第2课时 一个小游戏
- 怎样成为一名黑客?
- 国内四个不错的技术团体博客
- 禁止鼠标唤醒windows 7睡眠
- 隐马尔科夫模型
- bootstrap下拉菜单
- python 字典
- Erlang语言学习系列(二)
- 懒人听书:师父关于人们的奇怪之处之谈
- 修改IB中view的frame
- Android网络图片三级缓存
- EMV规范 ---ISO7816 T=0协议的时间特性
- android 开机播放视频
- CSDN Markdown简明教程3-表格和公式
- WKWebView与sessionID的因果
- aa
- IScroll.js 学习笔记