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EMV卡复位应答的时间特性 ---ISO7816协议

2016-01-14 13:39 253 查看
1.冷复位的时间特性





图1

如图1所示:

T0为200clk

从T0结束到RST变为高电平为40000-45000个clock

从RST变为高电平后,卡片必须在400-40000个clock之间应答,对于终端,必须能正确接收卡片在380-42000个clock之间回复的ATR.

如果卡片未能在400-40000个clock之间给予应答,则终端应在42000个clock后启动deactivation

2.热复位的时间特性





图 2

如图2所示,热复位的时间特性如图所示:

在RST置为低电平后的200clock内,终端和卡片都必须保证io在接收态

在RST置为低电平后的200clock后,终端必须保证其IO在高电平

从RST置为低电平到RST置为高电平之间的时间应在40000-45000个clock1之间

卡片应在RST置为高电平后的400-40000个clock之间给予应答

终端必须能正确接收卡片从RST变为高电平后的380-42000个clock之间的应答

如果卡片未能正确回复或者未回复,则终端应在RST变为高电平后的42000个clock后启动deactivation

3.deactivation序列





图3

deactivation的时序如图3所示:

首先RST变为低电平

CLK变为低电平

IO变为低电平

VCC变为低电平,其低电平电压小于0.4V

整个过程在100ms内完成
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