闪存芯片封装技术介绍——TSOP、FBGA、LGA

目前NAND Flash封装方式多采取TSOP、FBGA与LGA等方式，由于受到终端电子产品转向轻薄短小的趋势影响，因而缩小体积与低成本的封装方式成为NAND Flash封装发展的主流趋势。

　　TSOP(Thin smaller outline package)封装技术，为目前最广泛使用于NAND Flash的封装技术，首先先在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术(表面安装技术)直接附着在PCB板的表面。TSOP封装时，寄生参数减小，因而适合高频的相关应用，操作方便，可靠性与成品率高，同时具有价格便宜等优点，因此于目前得到了极为广泛的应用。



　　FBGA(Ball Grid Array，也称为锡球数组封装或锡脚封装体)封装方式，主要应用于计算机的内存、主机板芯片组等大规模集成电路的封装领域，FBGA封装技术的特点在于虽然导线数增多，但导线间距并不小，因而提升了组装良率，虽然功率增加，但FBGA能够大幅改善电热性能，使重量减少，信号传输顺利，提升了可靠性。

　　采用FBGA新技术封装的内存，可以使所有计算机中的内存在体积不变的情况下容量提升数倍，与TSOP相比，具有更小的体积与更好的散热性能，FBGA封装技术使每平方英寸的储存量有很大的提升，体积却只有TSOP封装的三分之一，与传统TSOP封装模式相比，FBGA封装方式有加快传输速度并提供有效的散热途径，FBGA封装除了具备极佳的电气性能与散热效果外，也提供内存极佳的稳定性与更多未来应用的扩充性。



　　LGA(land grid array)触点陈列封装，亦即在底面制作有数组状态坦电极触点的封装，装配时插入插座即可，现有227触点(1.27mm中心距)和44触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路，由于引线的阻电抗小，对高速LSI相当适用的，但由于插座制作复杂，成本较高，普及率较低，但未来需求可望逐渐增加。



　　目前NAND Flash一般封装大多采用TSOP、FBGA与LGA的方式，而记忆卡则多采用COB方式进行封装，手机应用领域则多用MCP的封装形式，随着终端产品的变化，未来WLP与3D TSV的封装方式也将逐渐为业界广为应用。