常规MOS管与超结MOS管的区别及超结MOS管应用领域介绍

刚刚有看到一篇文章写的是COOLMOS管与常规MOS管的区别，这是一篇名为《初学者必备知识——功率场效应晶体管MOS管》里面有介绍很多MOS管知识，在这我就不说别的，我们来说说COOLMOS管，因为本公司-深圳市凯泰电子有限公司也有这样的MOS管，但是不叫COOLMOS管，我们的叫超结MOS管（Super
Junction MOSFET Series）。下面我先介绍下COOLMOS管与常规MOS管的区别，之后我在给大家介绍下本公司的超结MOS管。

　　降低高压MOS管导通电阻的原理与方法

　　1 不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。由此可以推断耐压800V的MOS管的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOS管结构所导致的高导通电阻的根本原因。

　　2 降低高压MOS管导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流

　　以上两种办法不能降低高压MOS管的导通电阻，所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOS管关断时，设法使这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压仅取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想，1988年INFINEON推出内建横向电场耐压为600V的COOLMOS管，使这一想法得以实现。内建横向电场的高压MOS管的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图所示。

　　与常规MOS管结构不同，内建横向电场的MOS管嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOS管关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。

　　当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，并且D，S间加正电压，使MOS管内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直导电的N区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压，如图（b）所示，这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂、高电阻率是必需的。



　　当CGS＞VTH时，被电场反型而产生的N型导电沟道形成。源极区的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOS管将明显降低。

　　通过以上分析可以看到：阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与导通电阻功能分开，解决了阻断电压与导通电阻的矛盾，同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。

　　这些就是常规MOS管和COOLMOS管即本公司超结MOS管的不同之处，这里我也不过多的说超结MOS管有多好了，因为这两种MOS管的用途不一样，可以说是各有千秋啦，尺有所短寸有所长嘛。下面我就介绍下本公司的超结MOS管的一些型号及应用领域：

　　凯泰电子超结MOS管（COOLMOS管）型号介绍：本公司的超结MOS管主要有500V、600V、650V、800V、900V的，今天我就不把这些型号一一列出来了，下面我介绍下超结MOS管的特征和应用领域吧。

　　一、超结MOS管产品特征

　　1.卓越的功率转换效率

　　2、极低的导通损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A）

　　3、极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM(RON*Qg)

　　4、卓越的EAS能力（100%EAS测试）

　　二、超结MOS管产品应用

　　1、电脑、服务器的电源——更低的功率损耗

　　2、适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更便捷

　　3、照明（HID灯，工业照明，道路照明等）——更高的功率转换效率

　　4、消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效

　　深圳市凯泰电子有限公司主要产品之一就是MOS管，以前只有一个平面MOS管，也就是常规的MOS管，但是从2012年我们有了新型的超结MOS管了，在2012年我们可以为更多的客户做好服务，我们的团队也会加强，可以为需要MOS管的厂家提供更好的服务。