6T-sram存储单元原理分析
2015-08-16 22:06
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6T指的是其由6个mosfet构成。
M1-M4是存储单元,而M5-M6用于门控访问。
可以看出M1-M2 和 M3-M4是一个对称的结构,这是两个反相门的循环链接,由两个反相门循环相连的存储单元存在两种稳定状态,0和1。
使用WL来控制存储单元的门控访问,BL来进行存储单元的读写。
读:拉高WL,从BL中读出位即可
写:拉高WL,拉高或者拉低BL,由于BL的驱动能力比存储单元强,会强制覆盖原来的状态。
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