DSP学习第六篇——Flash 的使用

DSP学习第六篇——Flash 的使用

(2011-11-17 15:08:37)
 

标签： 杂谈

分类： DSP学习

Flash芯片

       Am29LV800B ：8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit)

       Am29LV800B简称LV800，它是一个低功耗flash，工作在2.7 － 3.6v电压下，一般来说存储数据可以保存100年以上，可以重复编程次数高达10万次。A18到A0为外部地址管脚， DQ0–DQ15为16条数据线，CE＃为片选控制管脚（低有效），OE＃为输出控制管脚（低有效），WE＃为写入控制管脚（低有效）

 

Flash擦除

       Flash一般有3种擦除方式：1按扇区擦除，2按块擦除，3整片擦除

       前两种方法为写入小程序时采用的部分擦除方法。后一种方法适用于大程序编程写入flash。本实验例程给出了第三种擦除方法

       擦除步骤





Attention：flash编程使用的是字地址

 

写flash

   



       1，编程使flash进入正常工作状态

       2，将要编程的flash空间擦除

       3，写flash

       4，将写入flash的中数据读出，进行读出校验

 

 

Flash_CS()与Flash_DisCS()

操作（读/写）flash前都要进行cpld片选flash的握手操作，即调用CS函数，操作完毕要释放dsp对flash的片选，调用disCS函数

CE1和CE2 接至  CPLD 使用

HX-5509 开发板通过功能选择寄存器组，利用 CE2、CE3 存储空间对各

寄存器组进行访问操作，操作流程如下：

1）读操作

①写功能选择寄存器组（写  CE2 空间任意地址），使能需要操作的目标寄

存器组，对于读  LCD 数据，必须将  LCDDIR 置为  1；

②读目标寄存器组（读  CE2 空间任意地址） ；

③读操作完成后，再写功能选择寄存器组，禁用所有寄存器组。

2）写操作

①写功能选择寄存器组（写  CE2 空间任意地址），使能需要操作的目标寄

存器组；

②写目标寄存器组（写  CE3 空间任意地址） ；

③写操作完成后，再写功能选择寄存器组，禁用所有寄存器组。

void
Flash_CS()
{

   deminaddr =
(int
*)CESECT2;

   *deminaddr =0x00fd;

    deminaddr =(int*)CESECT3;

   *deminaddr =0x0040;

   deminaddr =
(int
*)CESECT2;

   *deminaddr =0x00ff;
}
附录：




void Flash_CS()
{
deminaddr = (int *)CESECT2;
*deminaddr = 0x00fd;
    deminaddr = (int *)CESECT3;
*deminaddr = 0x0040;
deminaddr = (int *)CESECT2;
*deminaddr = 0x00ff;
}

void Flash_disCS()
{
deminaddr = (int *)CESECT2;
*deminaddr = 0x00fd;
    deminaddr = (int *)CESECT3;
*deminaddr = 0x00c0;
deminaddr = (int *)CESECT2;
*deminaddr = 0x00ff;
}

void Flash_Reset()  //AM29LV800复位
{
deminaddr = (int *)CESECT2;
*deminaddr = 0x00fd;
    deminaddr = (int *)CESECT3;
*deminaddr = 0x0000;
delay(1000);
*deminaddr = 0x0040;
*deminaddr = 0x00c0;
deminaddr = (int *)CESECT2;
*deminaddr = 0x00ff;
}

Uint16 Flash_Erase_all()  //AM29LV800芯片擦除
{
    Flash_CS();

deminaddr = (int *)CESECT1;
addbias = 0x0555;
*(deminaddr+addbias) = 0x00aa;
addbias = 0x02aa;
*(deminaddr+addbias) = 0x0055;
addbias = 0x0555;
*(deminaddr+addbias) = 0x0080;
addbias = 0x0555;
*(deminaddr+addbias) = 0x00aa;
addbias = 0x02aa;
*(deminaddr+addbias) = 0x0055;
addbias = 0x0555;
*(deminaddr+addbias) = 0x0010;
delay(100);
fstatus = *(deminaddr+addbias);
fstatus &= 0x0040;
fstatus2 = *(deminaddr+addbias);
if((fstatus&fstatus2)!=0)
{
Flash_disCS();
return 0;
}
else
{
while(fstatus!=0x00ff)
   {
ddelay(500);
fstatus = *(deminaddr+addbias);
fstatus &= 0x00ff;
   }
Flash_disCS();
return 1;
}
}

Uint16 Flash_Erase_sector()  //AM29LV800分段擦除
{
return 1;
}

void Flash_Write_init()  //AM29LV800烧写初始化
{
Flash_CS();

deminaddr = (int *)CESECT1;
addbias = 0x0555;
*(deminaddr+addbias) = 0x00aa;
addbias = 0x02aa;
*(deminaddr+addbias) = 0x0055;
addbias = 0x0555;
*(deminaddr+addbias) = 0x0020;
}

Uint16 Flash_Write(Uint16 waddr, Uint16 wdata) //AM29LV800烧写
{
    *(fwaddr+waddr) = 0x00a0;
*(fwaddr+waddr) = wdata;
delay(10000);
fstatus = *(fwaddr+waddr);
    while(fstatus!=wdata)
{
delay(10000);
fstatus = *(fwaddr+waddr);
}
return 1;
}

void Flash_Write_end()  //AM29LV800烧写结束
{
deminaddr = (int *)CESECT1;
*deminaddr = 0x0090;
*deminaddr = 0x0000;
Flash_disCS();
}

Uint16 Flash_Read(Uint16 raddr)  //AM29LV800读
{
Uint16 frtemp;
frtemp = *(fraddr+raddr);
return frtemp;
}

main()
{
    CSL_init();
    CHIP_RSET(XBSR,0x0a01);
     //设置系统的运行速度为144MHz*/
    PLL_config(&myConfig);
    //初始化DSP的外部SDRAM*/
    EMIF_config(&emiffig);
Flash_Reset();
    //Flash_Erase_all运行大约为14s以上，为节约时间注释掉，用户可自行根据需要取消注释
success = Flash_Erase_all();

//以下程序为烧写AM29LV800
Flash_Write_init();
fwaddr = (int *)CESECT1;  //地址首先指向5509的CE1空间（AM29LV800所在）
fwaddr += 0x10000;        //指向AM29LV800的1扇区
for(datacount=0;datacount<1000;datacount++)
{
success = Flash_Write(datacount, datacount);
}
Flash_Write_end();

//以下程序为读AM29LV800
for(datacount=0;datacount<1000;datacount++)
{
databuffer[datacount]=0;
}
Flash_CS();
fraddr = fwaddr;
for(datacount=0;datacount<1000;datacount++)
{
databuffer[datacount] = Flash_Read(datacount);
}
Flash_disCS();
//运行到此处，在view--memory里查看databuffer开始地址的数据，看是否所写即所读
    while(1);
}