OK6410（s3c6410）存储方式之地址存储结构详解

对几种常见存储器进行对比学习(ROM RAM FLASH)

ROM是只读存储器，RAM是随机存储器，两者最多的区别是ROM掉电数据不丢失，但存储读取速度慢，所以常用作存放程序，存放bootloader，存放内核，存放文件系统。

RAM掉电数据丢失，但数据存储读取速度快，所以常用作内存（将ROM中的程序拷贝到RAM中去运行），RAM还分为SRAM静态随机存储器（不用不断刷新就可以读取数据,速度快但是造价也高PS:arm，51，stm32中的片内内存都是）和DRAM动态随机存储器（要不断刷新才能存储读取数据，造价相对较低PS:arm，51，stm32扩展的外部内存）。

FLASH是一种可以快速读写的ROM（其融合了ROM和RAM的优点），51，stm32中存储程序的都是flash，arm中存放bootloader，kernel等的也是falsh(nandflash与norflash的区别就是nand不能运行程序，只能存储数据)。PS:51中的ROM叫程序存储器，RAM叫数据存储器，其实实质是一样的。

Cache是高速缓冲存储器，产生的原因是，cpu的处理速度比RAM(包括SRAM和DRAM)快很多，而且cpu的发展速度也比RAM快，所以在cpu和主存(即内存)直接有很多资源浪费，为了解决这个问题，就在cpu和DRAM之间加入了一个高速的SRAM，即控制了成本又提高了资源的利用率。工作原理：就是内存中往往有一些使用频率特别多的数据和程序，把这些数据和程序存入或者映射到cache中，当cpu反复使用这些数据的时候，就可以不从主存中取了，直接从cache中取来用，提高了效率。这里举例子的是cpu的cache！！！其他好多设备也都有cache，如硬盘也有cache，linux叫disk cache。

S3C6410 支持 32 位物理地址域

S3C6410的物理内存分成Memory和Pheriperal两部分，地址范围分别为0x0~0x6fffffff和0x7fffffff。

系统通过 SPINE总线访问Memory空间，通过PERI总线访问Pheriperal空间。

而为了适应不同外设的访问速度，又分别通过AHB总线访问LCD、 Camera、Accelerator等高速外设，通过APB总线访问iic、watchdog等低速外设。

内存Memory，又叫主内存，分为4大区域，分别是启动镜像区、内部内存区、静态内存区、动态内存区。

1.引导镜像区 0x0000_0000~0x07FF_FFFF 128MB

2.内部存储区 2 * 64MB

(1) 内部ROM 0x0800_0000~0x0BFF_FFFF

(2) 内部SRAM 0x0C00_0000~0x0FFF_FFFF

如果是内部ROM启动0x0800_0000～0x0BFF_FFFF映射到引导镜像区，如果是nandflash启动 则将内部SRAM的地址0x0C00_0000～0x0FFF_FFFF映射到引导镜像区。

3.静态存储区 0x1000_0000~0x3FFF_FFFF 6 * 128MB

bank0什么都没接，bank1接了DM9000，bank2，3的片选接在nandflash(但只是接在nandflashcon上的片选，没有统一编址)，bank4,5应控制cf控制器但ok6410没接。

4.动态存储区 0x5000_0000~0x6FFF_FFFF

ok6410用的是SRAM端口2地址为0x50000000，详讲下面ok6410原理图。

1.启动镜像区物理地址为0x00000000~0x07ffffff，共128MB。

这个区域的作用正如它的名字所述，是用来启动系统的。但是这个范围内并没有实际的存储 介质与之对应，只能在通过OM[4:0]选择具体的启动介质后再把相应介质的物理地址映射到这个启动区，比如说选择了IROM 启动方式后，就把IROM所占的地址空间映射为0x00000000开始的空间。引导镜像区反映一个镜像，这个镜像指向内存的一部分区域或者静态存储区。引导镜像的开始地址是 0x0000_0000。

2.内部内存区物理地址为0x08000000~0x0fffffff，共128MB。

这个区域对应着内部的内存地址，内部的ROM和SRAM都是分布在这个区间。其中，0x08000000~0x0bffffff对应着内部ROM，当然实际上内部的ROM也并没有64MB这么多，只有32KB是有实际存储介质的，这32KB是一个只读区，放的是IROM方式下的启动代码，选择IROM启动的时候首先运行 的代码就是这一部分，称为BL0，这部分代码由厂家固化。0x0c000000~0x0fffffff对应内部SRAM，实际可用的SRAM按照三星的手册是4KB，其实这就是用于nand flash启动的Steppingstone（但是这个Steppingstone是8KB，只有4KB可用。）

3.静态内存区物理地址为0x10000000~0x3fffffff，共6*128MB。

这个区域用于访问挂在外部总线上的设备，比如说SRAM、NOR flash、oneNand等。这个区域被分割为6个bank，每个bank为128MB，数据宽度最大支持16bit，每个bank通过 Xm0CS[5:0]来划定。和S3C2410 不一样的是，bank2~bank5能映射到nand flash、CF等非线性存储器，这并不是说可以通过bank2~bank5的地址段就能直接访问nand flash、CF内部的地址，相反，当映射到这些器件的时候这些bank的地址也不能再使用了，访问这些非线性存储器还是得通过Pheriperal空间的AHB总线进行，和S3C2410中的访问方式是一样的。不过有一个特例是，当Xm0CS2被映射到nand flash的时候，Steppingstone的4KB（or 8K？）SRAM被映射到bank2开始的4KB，而在以nand flash方式启动的时候bank2被映射到0x00000000开始的地方，实际上就是把Steppingstone映射到0x0000000了，这和 S3C2410的情况还是相似的。

4.动态内存区物理地址为0x40000000~0x6fffffff，共3*256MB。

其中第一个256MB为保留区，实际使用的动态内存区为 0x50000000~0x6fffffff，又分为2个区间，分别占256MB，可以通过DMC的Xm1CS[1:0]来进行着2个区间的选择。这个内存区主要是扩展DRAM，最大可以扩展512MB的DRAM。