常见的差分(动)阻抗计算模型
2014-08-13 20:57
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差分线阻抗模型类同于单端线,最大的区别在于,差分线阻抗模型
多了一个参数S1,即差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)。
1. Edge-coupled Surface Microstrip 1B
适用范围:
外层无阻焊(阻焊前)差分阻抗计算。
这个模型比下面包含阻焊的模型更常用。
由于在外层,其线路层铜厚则为基板铜厚+电镀铜厚(使用Core时);
或当表层使用单独铜箔时,则为成品铜箔厚度。
参数说明:
H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚
Er1:介质层介电常数
2.Edge-coupled Coated Microstrip 1B
适用范围:
外层阻焊差分阻抗计算。
由于在外层,其线路层铜厚则为基板铜厚+电镀铜厚(使用Core时);
或当表层使用单独铜箔时,则为成品铜箔厚度。
参数说明:
H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚
Er1:介质层介电常数
CEr1:阻焊介电常数
C1:基材阻焊厚度
C2:线面阻焊厚度(后加工)
C3:差分阻抗线间阻焊厚度
3.Edge-coupled Embedded Microstrip 1B1A
适用范围:
与外层相邻的第二个线路层阻抗计算,例如一个6层板,L1、L2
均为线路层,L3为参考层(GND/VCC),那么L2层的阻抗计算
使用此方式。
另外由于在内层,其线路层铜厚则为基板铜厚(Core),而非表
层微带线的基板铜厚+电镀铜厚,这一点要注意。
参数说明:
H1:外层到参考层VCC/GND间的介质厚度
H2:外层到第二个线路层的介质厚度+第二个线路层铜厚
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层到相邻参考层间介质常数)
Er2:介质层介电常数(外层到第二个线路层间介质常数)
4.Edge-coupled Offset stripline 1B1A
适用范围:
Edge-coupled Offset stripling--差分非对称带状线 1B1A。
夹在两个GND(或VCC)之间的线路层的阻抗计算,即一个线路层,
它的上下两层均为参考层,那么这个线路层的阻抗计算适用此
模型。注意这个为带状线。
另外由于在内层,其线路层铜厚则为基板铜厚(Core),而非表
层微带线的基板铜厚+电镀铜厚,这一点要注意。
参数说明:
H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离(注意不同于上面的介质厚度)
H2:线路层到较远参考层VCC/GND间间距(注意不同于上面的介质厚度)
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层到较近参考层间介质常数)
Er2:介质层介电常数(线路层到较远参考层间介质常数)
5. Edge-coupled Offset stripline 1B2A
适用范围:
两个参考层(VCC/GND)夹两个线路层的阻抗计算,例如一个6层板,
L2、L5层为VCC/GND,线路层L3、L4的阻抗计算。
使用此方式。
另外由于在内层,其线路层铜厚则为基板铜厚(Core),而非表
层微带线的基板铜厚+电镀铜厚,这一点要注意。
参数说明:
H1:线路层1到较近参考层VCC/GND间距离
H2:线路层1到线路层2间距+线路层1和线路层2铜厚
H3:线路层2到较远参考层VCC/GND间距离
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层1到较近参考层间介质常数)
Er2:介质层介电常数(线路层1到线路层2间介质常数)
Er3:介质层介电常数(线路层2到较远参考层间介质常数)
6.Edge-coupled Offset stripline 1B1A2R
适用范围:
两个参考层(VCC/GND)夹两个线路层的阻抗计算,例如一个6层板,
L2、L5层为VCC/GND,线路层L3、L4的阻抗计算。
使用此方式。
另外由于在内层,其线路层铜厚则为基板铜厚(Core),而非表
层微带线的基板铜厚+电镀铜厚,这一点要注意。
参数说明:
H1:线路层1到较近参考层VCC/GND间距离
H2:线路层1到线路层2间距+线路层1和线路层2铜厚
H3:线路层2到较远参考层VCC/GND间距离
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层1到较近参考层间介质常数)
Er2:介质层介电常数(线路层1到线路层2间介质常数)
Er3:介质层介电常数(线路层2到较远参考层间介质常数)
REr:差分阻抗线间填充树脂的介电常数
7.Edge-coupled Coated Microstrip 2B和Edge-coupled Offset Stripline 2B2A
7.1 Edge-coupled Coated Microstrip:
例如一个4层板,L1层需要做阻抗控制,L2层为线路层,
L3层为VCC/GND。
7.2 Edge-coupled Offset Stripline 2B2A:
比如一个8层板,L4需要做阻抗控制,L2、L6层为参考层VCC/GND,
L3、L5为线路层。
多了一个参数S1,即差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)。
1. Edge-coupled Surface Microstrip 1B
适用范围:
外层无阻焊(阻焊前)差分阻抗计算。
这个模型比下面包含阻焊的模型更常用。
由于在外层,其线路层铜厚则为基板铜厚+电镀铜厚(使用Core时);
或当表层使用单独铜箔时,则为成品铜箔厚度。
参数说明:
H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚
Er1:介质层介电常数
2.Edge-coupled Coated Microstrip 1B
适用范围:
外层阻焊差分阻抗计算。
由于在外层,其线路层铜厚则为基板铜厚+电镀铜厚(使用Core时);
或当表层使用单独铜箔时,则为成品铜箔厚度。
参数说明:
H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚
Er1:介质层介电常数
CEr1:阻焊介电常数
C1:基材阻焊厚度
C2:线面阻焊厚度(后加工)
C3:差分阻抗线间阻焊厚度
3.Edge-coupled Embedded Microstrip 1B1A
适用范围:
与外层相邻的第二个线路层阻抗计算,例如一个6层板,L1、L2
均为线路层,L3为参考层(GND/VCC),那么L2层的阻抗计算
使用此方式。
另外由于在内层,其线路层铜厚则为基板铜厚(Core),而非表
层微带线的基板铜厚+电镀铜厚,这一点要注意。
参数说明:
H1:外层到参考层VCC/GND间的介质厚度
H2:外层到第二个线路层的介质厚度+第二个线路层铜厚
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层到相邻参考层间介质常数)
Er2:介质层介电常数(外层到第二个线路层间介质常数)
4.Edge-coupled Offset stripline 1B1A
适用范围:
Edge-coupled Offset stripling--差分非对称带状线 1B1A。
夹在两个GND(或VCC)之间的线路层的阻抗计算,即一个线路层,
它的上下两层均为参考层,那么这个线路层的阻抗计算适用此
模型。注意这个为带状线。
另外由于在内层,其线路层铜厚则为基板铜厚(Core),而非表
层微带线的基板铜厚+电镀铜厚,这一点要注意。
参数说明:
H1:线路层到较近参考层VCC/GND间距离(注意不同于上面的介质厚度)
H2:线路层到较远参考层VCC/GND间间距(注意不同于上面的介质厚度)
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层到较近参考层间介质常数)
Er2:介质层介电常数(线路层到较远参考层间介质常数)
5. Edge-coupled Offset stripline 1B2A
适用范围:
两个参考层(VCC/GND)夹两个线路层的阻抗计算,例如一个6层板,
L2、L5层为VCC/GND,线路层L3、L4的阻抗计算。
使用此方式。
另外由于在内层,其线路层铜厚则为基板铜厚(Core),而非表
层微带线的基板铜厚+电镀铜厚,这一点要注意。
参数说明:
H1:线路层1到较近参考层VCC/GND间距离
H2:线路层1到线路层2间距+线路层1和线路层2铜厚
H3:线路层2到较远参考层VCC/GND间距离
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层1到较近参考层间介质常数)
Er2:介质层介电常数(线路层1到线路层2间介质常数)
Er3:介质层介电常数(线路层2到较远参考层间介质常数)
6.Edge-coupled Offset stripline 1B1A2R
适用范围:
两个参考层(VCC/GND)夹两个线路层的阻抗计算,例如一个6层板,
L2、L5层为VCC/GND,线路层L3、L4的阻抗计算。
使用此方式。
另外由于在内层,其线路层铜厚则为基板铜厚(Core),而非表
层微带线的基板铜厚+电镀铜厚,这一点要注意。
参数说明:
H1:线路层1到较近参考层VCC/GND间距离
H2:线路层1到线路层2间距+线路层1和线路层2铜厚
H3:线路层2到较远参考层VCC/GND间距离
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
S1 :差分阻抗线之间的距离(注意是线中心点之间的距离)
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:介质层介电常数(线路层1到较近参考层间介质常数)
Er2:介质层介电常数(线路层1到线路层2间介质常数)
Er3:介质层介电常数(线路层2到较远参考层间介质常数)
REr:差分阻抗线间填充树脂的介电常数
7.Edge-coupled Coated Microstrip 2B和Edge-coupled Offset Stripline 2B2A
7.1 Edge-coupled Coated Microstrip:
例如一个4层板,L1层需要做阻抗控制,L2层为线路层,
L3层为VCC/GND。
7.2 Edge-coupled Offset Stripline 2B2A:
比如一个8层板,L4需要做阻抗控制,L2、L6层为参考层VCC/GND,
L3、L5为线路层。
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