实现flash延长写寿命算法

flash的擦写次数是有限的，NAND flash中每个块的最大擦写次数为100万次，而NOR是10W次，flash单个存储单元bit只能从1变为0，而不能从0变成1。想要变成1，只能block擦 除，这里的block表示一个擦除单位，擦除过程就是把block所有的位都写1.这种硬件特性决定需要一种比较高效的写flash算法。总不能一次更改数值时擦除整一大片flash。

总体思想：写满一个block，然后把该block上有效的数据搬移到另一个block上，再擦除原block。这样flash有效利用率大大提高。

具体算法：每次写入flash的数据都附带一个结构体，该结构体主要描诉该数据是否可读or已丢弃的，记录该数据长度，数据唯一标示ID，当要修改某数据，就根据ID值，把原本的数据标示丢弃，然后重新写入一个原ID的数据。当一个block使用完时，查询原block上有限数据，并迁移到新的block上，再擦除旧block。

实现的结果就是根据ID增删查改数据，也就是Key-Value类型的flash管理。

flash读取寿命比较长，相对于写操作损害寿命，可以认为读取不影响该flash寿命。nor flash是没有坏块的，如果有坏块，则说明该nor flash已经没用了。

本人以实现该tiny file system，需要学习的童靴们，可以跟我拿哦～～～