晶振与电容的确定

晶振作用： 给单片机正常工作提供稳定的时钟信号。

原理：晶振主要是压电原理，晶振俩端的加一个磁场的时候，晶片就会产生机械形变，对极板施加机械力使其产生形变，又会在极板上产生相应的电荷，如果在俩个极版上加上交变的电压，晶片便会产生机械变形震荡，同时这种机械震荡还会产生交变的电厂，但是当外加交变的电压频率与晶片固有的频率相等的时候，机械振动的幅度会变得加剧，产生交变电场也增加，叫做压电谐波，

即使去掉晶振，电路照样能振荡，并且如果把那俩个电容改成可调电容的话也能得到想要的的某个平绿，那还要晶振干什么，晶振，陶瓷谐振槽路，RC振荡器以及硅pu振荡器是适用于微控制器的四种时钟源，针对具体应用优化时钟源设计依赖于一下因素：成本，精度和环境参数。RC振荡器能够快速启动

成本也比较低，但是通常在整个哦温度和工作电源电压范围内精度会较差，会在标称输出频率的5％-50％范围内变化，但相对RC振荡器而言，基于晶振与陶瓷谐振曹璐的震荡器通常能提供非常高的精度和较低的温度系数。

晶振基本参数简介：

1。CL：指与晶体元件一起决定负载谐振频率（FL）的有效外接电容，CL是一个测试条件也是一个使用条件，这个值可在用户具体使用时根据情况作适当的调整，来微调FL带来的恶化，其值通常采用6pf，10pf，15pf 20pf 30pf 等，其中当CL标为∝时谐振频率Fr。用户应当注意，对于某些晶体,在某一生产规范既定的负载电容下，±0.5pF的电路实际电容的偏差就能产生±10×10-6的频率误差。因此，负载电容是一个非常重要的订货规范指标。

2F0：指晶体元器件规范中所指的频率，也即用户在电路设计和元件选购时所希望的理想工作频率；

Fr：指在规定条件下，晶体元件电气阻抗为电阻性的俩个频率中较低的一个频率；

FL：指在规定条件下，晶体元件与一负载电容串联或并联，其组合阻抗呈现为电阻性时俩个频率中的一个频率。

3Rr：指晶体元件在谐振频率处的等效电阻。

在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。在低功耗设计中晶体的选择非常重要，尤其带有睡眠唤醒的系统，往往使用低电压以求低功耗。由于低供电电压使提供给晶体的激励功率减少，造成晶体起振很慢或根本就不能起振。这一现象在上电复位时并不特别明显，上电时电路有足够的扰动，很容易建立振荡。在睡眠唤醒时，电路的扰动要比上电时小得多，起振变得很不容易。在振荡回路中，晶体既不能过激励(容易振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易起振)。晶体的选择应考虑以下几个要素：谐振频点、负载电容、激励功率、温度特性、长期稳定性。换句话说，晶振可靠性工作不仅受到外接电容的影响。对于外接电容的选择，应根据晶振供应商提供的datasheet的数值选择。在许可范围内，外接电容值越低越好。容值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。有的晶振推荐电路甚至需要串联电阻RS，它一般用来来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，造成频率偏移，加速老化。