【ARM学习笔记】实验三:S3C2440A与内存SDRAM连接实验
2013-11-27 14:43
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前文讲到了存储控制器对外引出了8根片选信号线,分别对应8个BANK,每个BANK的地址空间大小为128MB,共计1GB的物理寻址空间
在8个BANK中,BANK0占用总线地址0x00000000~0x07FFFFFF,而CPU在上电后会从总线地址0x00000000读取指令执行,只能通过硬件引脚OM1和OM0配置成16bit或32bit的位宽,一般情况下,BANK0都是用来连接Nor Flash作为启动设备用的
BANK1~BANK5可以随意连接具备类内存接口的ROM和SRAM,支持8bit,16bit和32bit这3种位宽
BANK6和BANK7则除了连接具备类内存接口的ROM和SRAM,还可以用来连接SDRAM,因为BANK6和BANK7多出了几个特殊接口用来支持SDRAM,同时BANK6和BANK7还支持2块SDRAM并联
实际上,由于Nor Flash和SRAM价格较贵,而且容量较小,所以大多数开发板都采用Nand Flash启动,使用2块SDRAM并联作为内存
以百问网的JZ2440v2开发板为例:
JZ2440v2采用2颗三星K4S561632N SDRAM芯片作为内存,单片容量32MB,位宽16bit,两片组成32bit,不要需要注意的是,并联以后存储管理器会把2片内存当成独立的64MB、32bit的一片内存对待。
JZ2440v2同时拥有Nor Flash和Nand Flash
以下为JZ2440的SDRAM接线图:
![](http://img.blog.csdn.net/20131127144404531?watermark/2/text/aHR0cDovL2Jsb2cuY3Nkbi5uZXQvZWxpdGFo/font/5a6L5L2T/fontsize/400/fill/I0JBQkFCMA==/dissolve/70/gravity/SouthEast)
如上图,LDATA[31:0]是32根数据线,LADDR[26:0]是27根地址线
由于这种型号的SDRAM的行地址的宽度是13,列地址的宽度是9,所以只用到13根地址线,另外LADDR0、LADDR1按照32bit芯片接法是不用接的
另外,除了“高/低字节数据掩码信号”LnWBE0、LnWBE1、LnWBE2、LnWBE3以及输入时钟LSCLK0、LSCLK1不相同外
其他引脚,如:片选引脚LnGCS6,行地址列地址使能LnSRAS、LnSCAS,读写控制LnWE,输入时钟有效信号LSCKE,都是共用的
另外LADDR[25:24]用于SDRAM内部的BANK选择
使用SDRAM涉及到的寄存器
1.总线宽度和等待控制寄存器(BWSCON)
其寄存器总线地址为0x48000000,用来设置设备位宽、WAIT状态和UB/LB状态,每4位对应一个BANK
由于JZ2440使用2块SDRAM占用BANK6和BANK7,BANK7对应的bit[31:28]=0b0010,BANK6对应的bit[27:24]=0b0010
第一个0(即bit[31]和bit[27])表示不使用UB/LB状态,第二个0(即bit[30]和bit[26])表示不使用WAIT状态,之后的10(即bit[29:28]和bit[26:2])表示位宽32bit,其它位不用设置
故此寄存器的32位的十六进制值为0x22000000
2.BANK控制寄存器(BANKCON6和BANKCON7 )
BANKCON6的总线地址为0x4800001C,BANKCON7的总线地址为0x48000020,2个BANK只要设置相同的数值即可
本例使用三星K4S561632N只需设置bit[16:15]=0x11和bit[3:0]=0b0101
其中bit[16:15]用来设置存储器类型为SDRAM,bit[3:0]用来设置RAS到CAS的延迟为3个时钟周期(bit[3:2])以及列地址数为9位(bit[1:0])
所以BANKCON6和BANKCON7两个寄存器的32位的十六进制值都设置为0x00018005
3.刷新控制寄存器(REFRESH)
REFRESH的总线地址为0x48000024
本例使用三星K4S561632N只需设置bit[23]=0x1和bit[19:18]=0b11
另外bit[10:0]用来设置刷新计数器Refresh Counter,这个需要根据Datasheet中的刷新周期来计算
Refresh Counter的计算公式为:2^11 + 1 - SDRAM时钟频率(MHz)* SDRAM刷新周期
本例使用三星K4S561632N的关键特性中注明了“64ms refresh period (8K Cycle)”,意思是64毫秒刷新8K次(8192次),算得刷新周期=64ms/8192=7.8125μm
而此时SDRAM的时钟频率等于晶振的12MHz(CPU还未设置时钟频率,此时使用晶振)
所以Refresh Counter的值=2^11 + 1 - 12 * 7.8125 = 1955.25 = 0x7A3
加上之前的bit[23]和bit[19:18],所以刷新控制寄存器的32位的十六进制值为0x008C07A3
4.BANK大小寄存器(BANKSIZE )
BANKSIZE的总线地址为0x48000028
本例使用三星K4S561632N只需设置bit[7]=0x1、bit[5]=0b1、bit[4]=0b1、bit[2:0]=0b001
其中bit[7]用来设置允许ARM突发操作,bit[5]用来设置SDRAM在掉电模式能使能SCKE 控制,bit[4]用来设置只在SDRAM 访问周期期间SCLK 使能,以降低功耗。bit[2:0]用来设置Bank 6/7 存储器映射64MB/64MB
所以BANKSIZE寄存器的32位的十六进制值都设置为0x000000B1
5.SDRAM模式寄存器组寄存器(MRSRB6 和MRSRB7)
MRSRB6的总线地址为0x4800002C,MRSRB7的总线地址为0x48000030,2个BANK只要设置相同的数值即可
本例使用三星K4S561632N只需设置bit[6:4]=0x011
查询Datasheet可知,此值可设为0b010(十进制2)或0b011(十进制3)和
本开发板建议使用0b011
所以MRSRB6 和MRSRB7两个寄存器的32位的十六进制值都设置为0x00000030
#################################################################################################################
【代码实现】
仅用C语言实现,比较简单方便
#################################################################################################################
<完结>
在8个BANK中,BANK0占用总线地址0x00000000~0x07FFFFFF,而CPU在上电后会从总线地址0x00000000读取指令执行,只能通过硬件引脚OM1和OM0配置成16bit或32bit的位宽,一般情况下,BANK0都是用来连接Nor Flash作为启动设备用的
BANK1~BANK5可以随意连接具备类内存接口的ROM和SRAM,支持8bit,16bit和32bit这3种位宽
BANK6和BANK7则除了连接具备类内存接口的ROM和SRAM,还可以用来连接SDRAM,因为BANK6和BANK7多出了几个特殊接口用来支持SDRAM,同时BANK6和BANK7还支持2块SDRAM并联
实际上,由于Nor Flash和SRAM价格较贵,而且容量较小,所以大多数开发板都采用Nand Flash启动,使用2块SDRAM并联作为内存
以百问网的JZ2440v2开发板为例:
JZ2440v2采用2颗三星K4S561632N SDRAM芯片作为内存,单片容量32MB,位宽16bit,两片组成32bit,不要需要注意的是,并联以后存储管理器会把2片内存当成独立的64MB、32bit的一片内存对待。
JZ2440v2同时拥有Nor Flash和Nand Flash
以下为JZ2440的SDRAM接线图:
如上图,LDATA[31:0]是32根数据线,LADDR[26:0]是27根地址线
由于这种型号的SDRAM的行地址的宽度是13,列地址的宽度是9,所以只用到13根地址线,另外LADDR0、LADDR1按照32bit芯片接法是不用接的
另外,除了“高/低字节数据掩码信号”LnWBE0、LnWBE1、LnWBE2、LnWBE3以及输入时钟LSCLK0、LSCLK1不相同外
其他引脚,如:片选引脚LnGCS6,行地址列地址使能LnSRAS、LnSCAS,读写控制LnWE,输入时钟有效信号LSCKE,都是共用的
另外LADDR[25:24]用于SDRAM内部的BANK选择
使用SDRAM涉及到的寄存器
1.总线宽度和等待控制寄存器(BWSCON)
其寄存器总线地址为0x48000000,用来设置设备位宽、WAIT状态和UB/LB状态,每4位对应一个BANK
由于JZ2440使用2块SDRAM占用BANK6和BANK7,BANK7对应的bit[31:28]=0b0010,BANK6对应的bit[27:24]=0b0010
第一个0(即bit[31]和bit[27])表示不使用UB/LB状态,第二个0(即bit[30]和bit[26])表示不使用WAIT状态,之后的10(即bit[29:28]和bit[26:2])表示位宽32bit,其它位不用设置
故此寄存器的32位的十六进制值为0x22000000
2.BANK控制寄存器(BANKCON6和BANKCON7 )
BANKCON6的总线地址为0x4800001C,BANKCON7的总线地址为0x48000020,2个BANK只要设置相同的数值即可
本例使用三星K4S561632N只需设置bit[16:15]=0x11和bit[3:0]=0b0101
其中bit[16:15]用来设置存储器类型为SDRAM,bit[3:0]用来设置RAS到CAS的延迟为3个时钟周期(bit[3:2])以及列地址数为9位(bit[1:0])
所以BANKCON6和BANKCON7两个寄存器的32位的十六进制值都设置为0x00018005
3.刷新控制寄存器(REFRESH)
REFRESH的总线地址为0x48000024
本例使用三星K4S561632N只需设置bit[23]=0x1和bit[19:18]=0b11
另外bit[10:0]用来设置刷新计数器Refresh Counter,这个需要根据Datasheet中的刷新周期来计算
Refresh Counter的计算公式为:2^11 + 1 - SDRAM时钟频率(MHz)* SDRAM刷新周期
本例使用三星K4S561632N的关键特性中注明了“64ms refresh period (8K Cycle)”,意思是64毫秒刷新8K次(8192次),算得刷新周期=64ms/8192=7.8125μm
而此时SDRAM的时钟频率等于晶振的12MHz(CPU还未设置时钟频率,此时使用晶振)
所以Refresh Counter的值=2^11 + 1 - 12 * 7.8125 = 1955.25 = 0x7A3
加上之前的bit[23]和bit[19:18],所以刷新控制寄存器的32位的十六进制值为0x008C07A3
4.BANK大小寄存器(BANKSIZE )
BANKSIZE的总线地址为0x48000028
本例使用三星K4S561632N只需设置bit[7]=0x1、bit[5]=0b1、bit[4]=0b1、bit[2:0]=0b001
其中bit[7]用来设置允许ARM突发操作,bit[5]用来设置SDRAM在掉电模式能使能SCKE 控制,bit[4]用来设置只在SDRAM 访问周期期间SCLK 使能,以降低功耗。bit[2:0]用来设置Bank 6/7 存储器映射64MB/64MB
所以BANKSIZE寄存器的32位的十六进制值都设置为0x000000B1
5.SDRAM模式寄存器组寄存器(MRSRB6 和MRSRB7)
MRSRB6的总线地址为0x4800002C,MRSRB7的总线地址为0x48000030,2个BANK只要设置相同的数值即可
本例使用三星K4S561632N只需设置bit[6:4]=0x011
查询Datasheet可知,此值可设为0b010(十进制2)或0b011(十进制3)和
本开发板建议使用0b011
所以MRSRB6 和MRSRB7两个寄存器的32位的十六进制值都设置为0x00000030
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【代码实现】
仅用C语言实现,比较简单方便
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