三极管漏电流导致MOS无法关断,根源在于开关电源纹波过大……
2013-11-01 17:57
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今日做两个项目,传感器测试仪和电机测试仪,cortexA8架构,Android操作系统,手持外形设计。
硬件做到硬件调试阶段,MOS管无法关闭问题调了2天也没解决,一直怀疑是MOS端问题。
设计如下图:
![](http://img1.51cto.com/attachment/201311/173306115.jpg)
EN控制12V电源的通断,此设计在我以前设计的手持端用过,是经过验证可以使用的设计,虽然有改进余地。但是到了这里MOS管永远常开,测量R6下端电压为7.2V,使得VGS=-3V以上,MOS管打开,但是理论上R6下端电压应为12V。将R6电阻逐渐减小,直到降到510欧姆,表现一样。
直接换0欧姆可以工作,但是三极管一旦打开,12V跟GND短路。
于是换成如下电路:
![](http://img1.51cto.com/attachment/201311/173710725.jpg)
EN悬空,将R1换成0欧姆直接短地,测得VCC_12V是12.36V,R3上端为12.23V,R3下端为9.63V。
问题竟然在Iceo不为0,三极管产生漏电流。
终于接近问题的答案:
前款设计为锂电池供电,电源电压稳定。
此方法为DC-DC降压到12V,测量纹波峰峰值有100mv,电感的脉冲仍在。
三极管将高频谐波进行了功率放大,导致了漏电流的存在。
得出原因后可以解释另一个现象:
图一的设计在低电压10V以下时,MOS管工作正常,再将电压提高到24V的过程中,MOS管就打开了,刚测量DC-DC的纹波,在10V以下,没有高频谐波,波形表现白噪声,10V以上混入高频谐波,为电感所生,为DC-DC的转换频率。
解决方案为:1.加大DC-DC电感感值和电容容值,将电源纹波降下来;
2.如还不能解决,更换三极管。
今天周五,阴天,不利于焊接操作,中发也已经关门,明日周六,中发还有人,去选电感(10uh换成15uh)和电容(电容已经是1210瓷片电容最大容值100uf,应加到330uf左右)。
明日抑制电源噪声后,测试,再上结果!
更换150uh电感后,电源噪声得到了抑制,加电容意义不大,应在电路设计时增加表贴电容容量。
但三极管仍有穿透电流流过,重新选择一款三极管。
本文出自 “记事本” 博客,请务必保留此出处http://reatherboly.blog.51cto.com/8139316/1318695
硬件做到硬件调试阶段,MOS管无法关闭问题调了2天也没解决,一直怀疑是MOS端问题。
设计如下图:
![](http://img1.51cto.com/attachment/201311/173306115.jpg)
EN控制12V电源的通断,此设计在我以前设计的手持端用过,是经过验证可以使用的设计,虽然有改进余地。但是到了这里MOS管永远常开,测量R6下端电压为7.2V,使得VGS=-3V以上,MOS管打开,但是理论上R6下端电压应为12V。将R6电阻逐渐减小,直到降到510欧姆,表现一样。
直接换0欧姆可以工作,但是三极管一旦打开,12V跟GND短路。
于是换成如下电路:
![](http://img1.51cto.com/attachment/201311/173710725.jpg)
EN悬空,将R1换成0欧姆直接短地,测得VCC_12V是12.36V,R3上端为12.23V,R3下端为9.63V。
问题竟然在Iceo不为0,三极管产生漏电流。
终于接近问题的答案:
前款设计为锂电池供电,电源电压稳定。
此方法为DC-DC降压到12V,测量纹波峰峰值有100mv,电感的脉冲仍在。
三极管将高频谐波进行了功率放大,导致了漏电流的存在。
得出原因后可以解释另一个现象:
图一的设计在低电压10V以下时,MOS管工作正常,再将电压提高到24V的过程中,MOS管就打开了,刚测量DC-DC的纹波,在10V以下,没有高频谐波,波形表现白噪声,10V以上混入高频谐波,为电感所生,为DC-DC的转换频率。
解决方案为:1.加大DC-DC电感感值和电容容值,将电源纹波降下来;
2.如还不能解决,更换三极管。
今天周五,阴天,不利于焊接操作,中发也已经关门,明日周六,中发还有人,去选电感(10uh换成15uh)和电容(电容已经是1210瓷片电容最大容值100uf,应加到330uf左右)。
明日抑制电源噪声后,测试,再上结果!
更换150uh电感后,电源噪声得到了抑制,加电容意义不大,应在电路设计时增加表贴电容容量。
但三极管仍有穿透电流流过,重新选择一款三极管。
本文出自 “记事本” 博客,请务必保留此出处http://reatherboly.blog.51cto.com/8139316/1318695
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