在绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS管中,为什么Vds增大,反型层靠近漏极部分变窄

"没加Uds时，只在Ugs的作用下反型层应该是均匀分布的",确实是这样；MOS在用的时候，通常源和衬底接地，所以Ugs=Vg;
当Vds增大时，栅和漏之间电压为Ugs-Vds，电压变小，反型层自然变窄。

场效应管工作时，漏极和源极之间有一电压Vds，而栅极和源极之间也有一电压Vgs。Vds增加时，由电流Id流过，由于沟道存在一定的电阻，因此，Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端最低。这就使栅极与沟道内各点间的电位差不再相等，其绝对值沿沟道从漏极到源极逐渐减小，在漏极端最大(为|Vgd| )，即加到该处PN结上的反偏电压最大，这使得沟道两侧的耗尽层从源极到漏极逐渐加宽，沟道宽度不再均匀，而呈楔形。在Vds较小时，它对Id的影响应从两个角度来分析：一方面Vds增加时，沟道的电场强度增大，Id随着增加；另一方面，随着Vds的增加，沟道的不均匀性增大，即沟道电阻增加，Id应该下降，但是由于Vds较小时，沟道的不均匀性不明显，在漏极端的沟道仍然较宽，即Vds对沟道电阻影响不大，故Id随Vds增加而增加。随着Vds的增加，靠近漏极一端的PN结上承受的反向电压增大，这里的耗尽层相应变宽，沟道相应变窄，沟道电阻相应增加，Id随Vds上升的速度趋缓。当Vds增加到Vds=Vgs-Vp，即Vgd=Vgs -vDS=Vp(夹断电压)时，漏极附近的耗尽层即合拢，沟道宽度为0，这种状态称为预夹断。

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以下虽然答非所问，但是阐述了增强型与耗尽型MOS管的区别，故收藏！

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。