【转】单片机的扩展RAM读写时序

用的是11.0592MHz的STC89C52做测试，

#include <reg52.h>

#define     uchar       unsigned char
#define uint    unsigned int

uchar        xdata        LD _at_ 0x7fff;

void delay(uint cnt)
{

uint i;

for(i=0;i<cnt;i++);
}

void main(void)
{

uchar i;

delay(1000);

while(1)

{

LD = 0x00;

LD = 0xf0;

LD = 0x73;

// i = LD;

delay(1000);

LD = 0xff;

delay(1000);
}

}

LD就是扩展的外部RAM变量，地址是0x7fff，也就是说P2的最高位就是CS信号[低有效]。示波器测试了P0口任意一个数据的变化、CS的变化、WR\RD信号的变化。大体整理了一下，波形基本如下：



另外，我还注意到除了第一次LD读操作需要5个指令周期外（1.085us*5），以后每次LD读操作都只要3个指令周期（1.085*3）。这也是从汇编的代码里仿真后得出来的结论。而从上图也可以知道CS有效时间其实是一个指令周期（1.085us）。平均3个指令周期完成一次数据传输（所谓的RAM方式读写数据），这应该是单片机和外部通信的最快速度了。

原文：http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_191074.HTM